| | | | | 先找点MOS管资料看看加深印象,看不懂的地方再问不迟。
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| | | | | | | 楼上所言极是;
还是直接回答你问题如下:MOSFET工作分为截至区、恒流区和饱和区三个区域;当VGS电压小于开启电压VGS_TH时,管子完全处于关闭(OFF)状态,其实就像VGS=0一样的效果,管子的DS完全对应于截止状态,
没有任何导电沟道形成,所以即使VDS达到一个较大的数值,也不会有ID形成;暂且跳过饱和区不讲;而当VGS电压远大于VGS_TH时,那管子就处于完全的导通状态,此时drain的电位也很接近source的电位,
管子间DS间的导电沟道完全形成,所以此时DS间的阻抗也是极小的,现在对应于管子的饱和区(ON);而恒流区就是,当VGS增加到一定值时(大于VGS_TH),增大VDS到一定值后,ID就不会再随VDS的增大而增大
的这个时候,管子就进入了恒流区,因为此时对应的VGS开启的电流能力为一特定值了,即使DS电压继续升高,GD间的导电沟道形成的阻力会基本抵消由于电场(VDS)增大而增大的吸引力,此时管子基本处于
平衡态了,即对应于管子的放大器即恒流区(为什么叫恒流区,那是因为其等效电阻几乎为无穷大,因为电压增大而电流不变,自然等效电阻无穷大(理想))。好好研究研究模电书的MOSFET那部分知识!
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| | | | | | | | | 讲得很好。不过楼主似乎没仔细研究过仍然会迷迷糊糊。
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| | | | | | | | | | | 能把基本的无源器件 (R, C, L, D)还有常用有源器件 (BJT, MOSFET, OPA)研究透彻,估计很多实际的应用问题解决起来就不难了。
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| | | | | | | | | | | 是的,MOS管中恒流区又叫饱和区, 另一个区应该叫可变电阻区又叫非饱和区, 但是三极管中叫这个可变电阻区叫做饱和区,跟MOS管有点不一样,有点绕。
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