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|  |  | | | | | 不加RCD吸收电路时，经常炸IGBT模块，所以才加了RCD吸收电路，加上之后就不炸IGBT模块了，但是电阻发热太厉害
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 |  | | | | 这种吸收电阻不能增大阻值？阻值增大，自身功耗就降低了。
反激MOS吸收可以调阻值的，IGBT的吸收是一样的道理吧
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| | | | | | | 可以增大阻值，但是阻值也不能无限制的增大的，都加到100W了，难道还要再增加吗？增加了之后损耗是不是也太大了啊
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| | | | | r=1/（6*c*f） C太大了，R取的太小，额外增加电阻上的发热 |
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| | | | | 你是根据经验去的RC的值？ 有没有结合你实际电路来大体计算一下C和R的取值多少比较合适？
如果计算值是这样，只能再通过优化电路来想办法了。
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| | | | | 分享个文档，可以参考里面的计算公式大致计算一下。另外RC取值互相兼顾一下，让R上的损耗降低一些也许有点改善，再就是从L上想办法。
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我看放电阻止型RCD电路中电阻的功率只与杂散电感、电流极开关频率有关系，与电容C的大小没有关系啊！那改变电容C的大小影响不了电阻R的功率吧？
我现在在靠近IGBT的位置，PN两端又并联了4组1000uF 400V的电解电容，现在RCD电路中电阻R发热不厉害了，稍微温乎点儿，电流100A的时候温度只升高了四五度，但是刚加的这4组电解电容温度升高了大约20度，从30度升到了50度。
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| | | | | | | | | 那电解电容的工作寿命也不会很长了吧。温度对电解电容影响很大。
RC之间是相互影响的，你看文档里有推导公式，可以先大致确定C,然后确定R
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