变换器中有高频电流（尤其含较高di/dt的高频电流）的环路（包括回流路径）都要求环绕面积小，线最短。
1. BUCK中，上MOS导通有电流，关断无电流，所以上MOS有高频电流。
2. 下MOS或二极管同理，有高频电流。
3. 电感电流始终都有，可以认为高频电流小（主要没有很高di/dt的电流）。
那么输入电源正到上MOS以及对应的回流路径，即下MOS的S极到电源负，要求路径越短越好，包围面积越小越好。
同理，下MOS电流路径，即下MOS的S极（包括S极到地线T形连接点的铜箔）到上MOS的S极长度越短越好。
也就是说，BUCK上下各有一个T字接点，两个接点及输入侧连线要短，输出侧可以稍微长点。
如果两个MOS非常靠近，在靠近上MOS的D极和靠近下MOS的S极加一个薄膜电容，那么高频回路可以最小。
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