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半桥驱动是怎么自举电压的?求指导

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Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-4 19:15:04
10问答币
小弟不懂电源,最近准备用一款MAX15019半桥驱动器,对DH口是如何实现自举电压+Vin这一点不懂,期待懂行的朋友指导下,具体如下:
当IN_H高电平时候,DH口的电压是“自举电容放电电压+Vin“,如此可以打开上MOS管。那么问题来了这个Vin是如何到DH口的,在上管未导通的时候Vout应该是没电压的啊,那Vin的电压又是如何加到DH口的呢?     

这一点不明白,希望朋友们帮忙解惑一下,非常感谢!!!   





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CBST端电压没有短路的机制,它就是VDD电压,不管上下管如何动作,它都是VDD 它的VDD是相对上管S脚而言,不管上下管处于何种状态,上管都拥有这个稳定的VDD 这个VDD环境,使得上管可以驱动(也可以不驱动),驱动就需要一个VDD。 自举说的是VDD的自举,在下管导通时把Cvdd上的电压挪到Cbst上去,自举就干这一件事,与其他事情无关,与输入电压无关、与上管如何驱动无关。 ...
nc965
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  • 2017-11-4 19:58:04
 
假定下管已经导通接地,再分析一下。
Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-4 21:04:25
 
如果下管栅极是高,导通接地,那上管栅极为高电平的时候,上管导通,经过下管直接短路到地?
nc965
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  • 2017-11-4 22:17:31
 
假定下管已经导通接地,不管上管是否导通,再分析一下VDD的电流走向,这时电容Cbst两端应该是什么电平?
Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-4 22:57:09
 
CBST上的电压应该就等于VDD
nc965
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  • 2017-11-5 08:35:07
 
然后再分析这个电容上的端电压在上管驱动时是否会短路,如果不会,它就是上管的VDD,自举成功。
Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-5 10:08:26
 
早上起来又想了下,整个过程是不是这么理解:
下管导通时,给CBST充电,CBST上端电压为VDD,下端为0。然后下管关闭,上管的栅极输出高电平,由于电容电压不能突变,电容下端
即上管的S级就为0,所以上管能导通(栅极为VDD,芯片内部MOS管产生)。然后VIN电压传递至S级。这个时候,电容的电压依然不能突变,为了保持上下端VDD的压差,CBST的上端电压就变成了VDD+VIN,然后通过BST口进入芯片内部的mos管,输出在DH口上(即上管的栅极)。
则上管的栅极电压为VDD+VIN,比S级电压高,就在电容能持续放电的时间内继续保持上管导通?

不知道这种解释有什么问题?但是有一点,(假定VDD=8V,VIN=48V)如果我这么理解就相当于是CBST由8V加载一个48V升压至56V,之前一
直私认为的应该是是48V加载一个8V升压至56V(觉得这样升压时间才能满足很快的要求),不知道理解哪儿有问题,望指点一下,这个电路的
工作流程啊!!


nc965
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  • 2017-11-5 10:19:05
 
CBST端电压没有短路的机制,它就是VDD电压,不管上下管如何动作,它都是VDD
它的VDD是相对上管S脚而言,不管上下管处于何种状态,上管都拥有这个稳定的VDD
这个VDD环境,使得上管可以驱动(也可以不驱动),驱动就需要一个VDD。
自举说的是VDD的自举,在下管导通时把Cvdd上的电压挪到Cbst上去,自举就干这一件事,与其他事情无关,与输入电压无关、与上管如何驱动无关。

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Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-5 11:33:57
 
VDH的电压就是VBST的上端电压吧?(这个从芯片内部能看出来)

我同事在使用这一款的时候,高电平100us,周期5ms,NMOS输出电压48V峰值电流1.5A,经常会烧这款驱动器,NMOS基本都是好的,也不知道是啥子原因。。。麻烦版主能否罗列这种电路驱动管容易坏的原因,供我们参考下
nc965
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版主
  • 2017-11-5 11:42:10
 
高电平100us,周期5ms?这个应用参数非常边缘,比常规应用周期增加了2个数量级,这意味着你的Cvdd\Csbt容量、二极管电流也应该比常规应用增加2个数量级,才能确保自举成功,否则VDD电压就会出问题。
VDH的电压是驱动信号,受控的,不要与自举扯在一起。
这类芯片损坏,多数情况是安全间距,这类芯片是两个电压等级,上管是高压的。两个电压等级之间的不当耦合(比如二极管反向恢复电流很大)也会烧芯片,这是能量问题。

Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-6 16:41:39
 
那像类似的脉冲控制,上升下降沿都要100ns以内。用哪种类型的电路做驱动会更优呢?麻烦您推荐下吧,大恩不言射啊
nc965
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版主
  • 2017-11-6 16:48:41
  • 倒数10
 
普通图腾柱就可以做到100nS以内,下面这个实测20nS,调整R14\R15,可分别控制上升沿和下降沿时间。
f9.jpg

Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-6 17:06:28
  • 倒数8
 
我先去学习下图腾住再来向你请教
Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-8 23:32:50
  • 倒数7
 
版主,这个电路高电平来时,上管由于有R16到地,所以打开,然后Mos的栅极有高点平了,所以mos打开(前提是mos的s级接地)。低电平来时是因为mos的栅极电压不能突变依然是14V,所以下管pnp的射级电压比基级高吗,然后导通?那这个下管的作用就是加快栅极放电速度,也就是对脉冲下降沿陡峭有好处?我这么理解有错吗?基础不好,理解起来费劲,哎!
nc965
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版主
  • 2019-10-31 19:17:47
  • 倒数3
 
理解没问题
Coming.Lu
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版主
  • 2017-11-4 20:29:00
 
下管导通时,CBST 通过二极管充电。
上管导通时,CBST两端电压不能突变,被桥臂中点整体抬高电平。
Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-4 21:07:37
 
您的意思是等待上管导通了,下管才关断?
Coming.Lu
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版主
  • 2017-11-4 23:40:12
 
我可没这么说过。
Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-6 16:46:56
 
多谢版主啦
aa20897
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实习版主
  • 2017-11-5 22:03:26
 
这是直通哦,意思是先开下管,自举电容充电,关断下管,自举电容得到所需要的驱动电压。
Adrenking
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本网技师
  • 2017-11-6 16:51:54
  • 倒数9
 
感谢解答~
TONY1256_CHEN
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本网技师
  • 2019-10-31 16:20:02
  • 倒数5
 
LU版主,刚才看到你这个贴子,你说:“下管导通时,CBST通过二极管充电,上管 导通时,CBST两端电压不能突变,被桥臂中点整体抬高电平,"照这么说假如在初始条件下,是不是一定要先开下管呢,假如我要一开始就要上管导通那按这么理解不就行不通了?再就是上管CBST明显通过二极管接到VDD12V上的,应该时刻都有电啊?所以我就没明白这里关系
Coming.Lu
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版主
  • 2019-10-31 18:22:59
  • 倒数4
 
下管不开,电容没有充电回路。
TONY1256_CHEN
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本网技师
  • 2019-11-1 13:00:08
  • 倒数2
 
我就有点纳闷了,假如初始上电,那我要把全部下管开一次才行,就如下图说吧,我现在就是在纠结初始上电的条件下,是不是上管一定开不了,要先开下管上管才能开呢? 微信图片_20191101113018.png



Coming.Lu
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最新回复
  • 2019-11-1 18:20:11
  • 倒数1
 
上管第一次开不了,下次开不就可以了。
当然,有些IC是设计了下管先开一次的,而且可能长的时间比较长,比正常的一个周期时间长。
mayuntama
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本网技工
  • 2018-6-20 10:54:24
  • 倒数6
 
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