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Mosfet寄生电容cds与体二极管

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1
youcq1994
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LV1
本网技工
  • 2017-11-21 05:04:30
10问答币
麻烦问下各位大大,mosfet的寄生电容cds是否可以理解成等效反并联体二极管的结电容?
再就是二极管的结电容与二极管的反向恢复究竟如何联系起来?
最后一个问题是若二极管的正向电流自然衰减到0后,施加反压,会存在反向恢复的问题么?
谢谢
zhuliu09
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LV8
副总工程师
  • 2017-11-21 22:12:17
  • 倒数4
 
第一个问题:不可以。
第二个问题:你要明白反向恢复的本质是什么,反向恢复是二极管在正向加电压时,在正向电场的作用下,P区的空穴(N区的电子)扩散到N区(P区),这时加上负压,在反向电场作用下,之前扩散到N区(P区)的空穴(电子)会被抽回到原来的P区(N区),这样形成N到P的反向恢复电流,同时,PN节附件的空间电荷区展宽以承担反向电压。以上分析基于PN节结构的二极管,肖特基二极管基于金属和半导体接触理论,不存在反向恢复问题,但是肖特基二极管的结电容是存在的。
第三个问题:电流自然到零后再加反压,是没有反向恢复问题的,DCM的PFC的二极管就不用考虑反向恢复问题,具体器件原因,可以在理解第二个问题答案的基础上,自己领会。
youcq1994
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LV1
本网技工
  • 2017-11-22 12:31:17
  • 倒数3
 
那麻烦问一下您,之于第一个问题,在分析寄生参数的时候,该如何考虑mosfet的反并联体二极管的结电容?
再就是对于DCM PFC这种电路,二极管零电流关断,问什么就没有反向恢复的情况呢? 之前由于扩散原因的电子和空穴如何恢复初始的呢?
谢谢!
zhuliu09
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LV8
副总工程师
  • 2017-11-23 09:39:58
  • 倒数2
 
1、你非要考虑这个结电容的话,应该说这个结电容会加剧反向恢复问题,因为在反向恢复的过程中,这个结电容处于充电的过程,充电的电流和反向恢复电流方向一致;
2、DCM PFC,电感电流到零以后,就没有正向电压加在二极管的两端,PN节内部就没有外加的正向电场,这个时候PN结的内部自建电场会阻碍P区(N区)空穴扩散到对方,而之前扩散过去的空穴(电子)是N区(P区)的少子,少子存在复合作用,有一个寿命的,很快就被复合掉了,也就不存在反向恢复了。这些你可以查询半导体物理学这本教材,里面讲的很详细。
youcq1994
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LV1
本网技工
最新回复
  • 2017-11-24 10:17:16
  • 倒数1
 
对于您对第二个问题的回答,我还有一个疑问:在正向电流逐渐到0时,pn结还相对较窄。而当电流等于0的一刻,二极管上就会出现一个反压,请问这个反压不会带来反向恢复的问题么?为什么?谢谢!
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