 |  | | | | MOS的可变电阻去类似三极管的饱和区，mos的放大区和三极管的放大区类似。
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 | | | | | 先说答案：工作在线性区。
Vg-Vth>Vds=0这个表达式不准确，Vds≠0，在Vg-Vth>Vds条件下，MOS工作在线性区，开关管可以等效为一个电阻Ron，Vds=Ids*Ron，这个叫线性区，不叫可变电阻区，可变电阻区是MOS管开关过程中的弥勒平台区间。
至于你所说的饱和导通，是相对Vgs而言的，Vgs再增大，Ron不会再明显减小了，就是你所谓的饱和导通。
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| | |  | | | | | | 你所谓的饱和说的是VGS和Ron的关系，Ron不再随Vgs的增加而减小，可以看做是一种饱和。
对于VDS和Ron的关系来看，你所描述的开关管状态应该是处于线性区，Vds=Ron*Ids，Vds增加，Ids增加，这个就是线性区，当然，如果VDS增加的很大以后，Ids不再增加，可以认为从Vds角度看，器件也进入了一种饱和状态，这种饱和状态和之前说的VGS饱和不是一回事。
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