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| | | | | | | 条件?指什么?比如就说推挽升压的那个两个低端MOS管吧。
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| | | | | | | | | 两个电路,是元件参数一样,还是要达到一样的效果,还是别的什么。
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| | | | | | | | | | | 嗯,两边元件参数一样,比如说R=10Ω,C=220NF
那么能达到一样的效果吗?
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| | | | | | | | | | | | | 当然不是一样的效果。
两边参数一样,估计就像你说的,某一边损耗大。
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| | | | | | | | | | | | | | | 嗯 咱不考虑损耗问题,就说DS的波形,应该效果一样吧?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯 参数我自己计算,我的意思是这两种电路用在吸收DS尖峰的场合都可以用是吧?
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| | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | | | |
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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- 帖子:45909
积分:109774 版主 | | | 右边的电路,如果R比较大,MOS管开通时候,电容电压之通过电阻放掉很小一部分,那么他是RCD吸收还是RCD钳位?
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | 所以,这个看你电阻怎么取值,没有阻值,你单纯的一个电路是无法说明他是钳位还是吸收的。
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| | | | | 左边的电路R一般取值不会太小,正常来讲不希望钳位电容上的电压全放掉,不然影响效率。只要达到设想的钳位效果就OK了。右边的电路R一般取值会小一些,RC的时间常数一般都要小一些。
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| | | | | | | 对于右边的电路,损耗和R、C的选择有以下公式:
其中L就是寄生串联电感啦,I是流过开关管的电流,Vd是电源电压,V是初始电压(=0),DeltaV是电容上的变化电压,
ks是个系数(0到0.2之间)
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| | | | | | | | | 您好,你截图的这个文章可以发一份给我么,正在学习。谢谢!
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| | | | | 计算损耗,应该看全部,即MOS的关断损耗Pmos和R上的损耗Pr。
一般右边的snubber,是用来缓慢Vds上升软化开关的,比起左边的硬开关Clamp, Pmos小了,Pr却分担多了。
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