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讨论

关于RCD钳位和RCD吸收电路

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ericjackson05
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LV6
高级工程师
  • 2017-12-6 17:15:00
废话不说,先上图! A1.png
左边的是RCD钳位电路,在反激中很常用,充电时电流从上到下走D->C,放电时电荷走R消耗为热量。
右边的是RCD吸收电路(snubber),充电时电流从上到下走D->C,放电时C中电荷走R放掉。

那么这两种电路,我用于抑制MOS管两端的尖峰电压,效果一样吗?

我觉得这两种电路,前者损耗大,电容全部能量放至R;后者损耗稍微小点,电容能量可以往电源释放。
Coming.Lu
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  • 2017-12-6 18:06:50
 
没有条件,没办法比较。
ericjackson05
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LV6
高级工程师
  • 2017-12-6 20:12:36
 
条件?指什么?比如就说推挽升压的那个两个低端MOS管吧。
Coming.Lu
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  • 2017-12-7 09:16:20
 
两个电路,是元件参数一样,还是要达到一样的效果,还是别的什么。
ericjackson05
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LV6
高级工程师
  • 2017-12-7 09:59:33
 
嗯,两边元件参数一样,比如说R=10Ω,C=220NF
那么能达到一样的效果吗?
Coming.Lu
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  • 2017-12-7 10:00:44
 
当然不是一样的效果。
两边参数一样,估计就像你说的,某一边损耗大。
ericjackson05
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LV6
高级工程师
  • 2017-12-7 11:59:12
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嗯 咱不考虑损耗问题,就说DS的波形,应该效果一样吧?
Coming.Lu
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  • 2017-12-7 12:15:14
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要达到接近的VDS效果,那参数就要选择不一样。
ericjackson05
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LV6
高级工程师
  • 2017-12-7 13:08:46
  • 倒数7
 
嗯 参数我自己计算,我的意思是这两种电路用在吸收DS尖峰的场合都可以用是吧?
Coming.Lu
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版主
  • 2017-12-7 14:19:41
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都可以。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-12-7 16:28:50
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都可以用,但是,波形肯定不一样。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-12-7 08:31:11
 
右边的电路,如果R比较大,MOS管开通时候,电容电压之通过电阻放掉很小一部分,那么他是RCD吸收还是RCD钳位?
ericjackson05
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LV6
高级工程师
  • 2017-12-7 10:00:48
 
但实际上R并不会取很大,几欧到十几欧的样子。
YTDFWANGWEI
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  • 2017-12-7 11:28:25
 
所以,这个看你电阻怎么取值,没有阻值,你单纯的一个电路是无法说明他是钳位还是吸收的。
zhushouw
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LV6
高级工程师
  • 2017-12-7 11:13:06
 
左边的电路R一般取值不会太小,正常来讲不希望钳位电容上的电压全放掉,不然影响效率。只要达到设想的钳位效果就OK了。右边的电路R一般取值会小一些,RC的时间常数一般都要小一些。
ericjackson05
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LV6
高级工程师
  • 2017-12-7 12:07:25
  • 倒数9
 
对于右边的电路,损耗和R、C的选择有以下公式:

A1.jpg
A2.jpg
A3.jpg

其中L就是寄生串联电感啦,I是流过开关管的电流,Vd是电源电压,V是初始电压(=0),DeltaV是电容上的变化电压,
ks是个系数(0到0.2之间)
cakesunshine
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本网技师
  • 2019-2-13 14:07:42
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您好,你截图的这个文章可以发一份给我么,正在学习。谢谢!
zmn
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本网技师
最新回复
  • 2021-12-9 11:14:43
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什么书籍能学习一下嘛
greendot
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专家
  • 2017-12-7 17:56:26
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计算损耗,应该看全部,即MOS的关断损耗Pmos和R上的损耗Pr。
一般右边的snubber,是用来缓慢Vds上升软化开关的,比起左边的硬开关Clamp, Pmos小了,Pr却分担多了。
关外秀才
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副总工程师
  • 2020-9-7 12:01:06
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学习了,感谢分享。
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