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【资料下载】GaN Systems-李全春 GaN E-HEMT特性及其应用

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世纪电源网_小九
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LV8
副总工程师
  • 2017-12-12 13:44:15
2017129日,由世纪电源网主办的第八届21Dianyuan高性能电源技术分享与实战技术研讨会在深圳马哥孛罗好日子酒店圆满落下帷幕!
世纪电源网已连续八年在深圳成功举办“高性能电源技术分享与实战技术研讨会”,每年超过1000名工程师参会。本届会议汇聚多位业内多位知名专家、千名电源业内工程师,共计人数超过1300人。本次会议中, 来自GaN Systems的李全春先生为工程师们分享了 GaN E-HEMT特性及其应用,参会工程师们认真听讲直到会议结束,全场座无虚席!


基本内容
      ·氮化镓器件的特性及其结构封装
      ·氮化镓器件的并联,大功率氮化镓模块的设计
      ·氮化镓器件在不同应用中的设计要点与实例



资料下载
GaN Systems 李全春 1.pdf (2.66 MB, 下载次数: 207)
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