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去饱和保护的问题

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shaorc
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  • 2017-12-20 16:02:24
30问答币
【不懂就问】
如图,上面是看到TI设计资料里的一部分,是一款IGBT驱动芯片
其中在去饱和保护设计时,有这么一段说明
“在开关感性负载时,会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化
这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰,会从器件中消耗大量电流
为了将这些电流限制,可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联
,再选用一个肖特基二极管MM3z12vb,效果更好
可以确保在低电平下,把DESAT输入钳位到GND”

【1】所说的肖特基二极管D2和R1连用,限制尖峰引起的电流,是什么工作原理?
【2】下图全桥中,当要导通上管时,u点相当于是地,但是下管不同,u点是悬浮的,如何确定?

IMG_20171220_155845.jpg

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不是这么说的,这是两个问题: 1、C1、C2、R1、D3、D4组成的是退饱和保护电路,主要是为了防止Ids瞬时突变到Irms的6-7倍(分析上下管直通的情况会好理解些)时,通过DESAT的功能来切断驱动波形;C1C2来调节消隐时间,R1的作用类似;D3D4之所以用两个二极管主要是耐压的问题,现在一般1个二极管就够了; 2、负尖峰,即Vds<0,DESAT内置的电流源会流经Vds的环路,加D1D2可以减小电流源的负担,问题也来了,二极管会引入结电容,会加 ...
nc965
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  • 2017-12-21 09:43:11
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有这样用的,弥补芯片的功能缺陷。
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  • 2018-1-4 15:56:45
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不是这么说的,这是两个问题:
1、C1、C2、R1、D3、D4组成的是退饱和保护电路,主要是为了防止Ids瞬时突变到Irms的6-7倍(分析上下管直通的情况会好理解些)时,通过DESAT的功能来切断驱动波形;C1C2来调节消隐时间,R1的作用类似;D3D4之所以用两个二极管主要是耐压的问题,现在一般1个二极管就够了;
2、负尖峰,即Vds<0,DESAT内置的电流源会流经Vds的环路,加D1D2可以减小电流源的负担,问题也来了,二极管会引入结电容,会加长消音时间;

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shaorc
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  • 2018-1-23 15:03:02
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你好,针对这个帖子的第二个问题,我还不明白
比如最左边的桥臂,如果下桥臂要到导通,那么就给下面的IGBT门极输入UG--信号,
此时回路的地是NE,但是上管开通,下管关闭时,虽然上管的导通信号是UG+,但是下管关闭
此时的地就没有了,上管如何导通?

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  • 2018-1-29 09:17:48
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上管驱动是浮地驱动,UG+的信号是相对于U点的,而不是相对于NE
shaorc
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  • 2019-6-19 17:25:27
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再次回顾这个帖子
你说的消音时间指的是什么?看到ISO5852手册中也说到了,检测到IGBT过流后,静音逻辑会阻断输出。
luhemiwu
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本网技师
最新回复
  • 2020-10-14 16:07:37
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R1和D1/2的作用是钳位DESAT的负压。主管导通的时候D3/4的寄生电容会由于很高的du/dt产生位移电流,该位移电流会给C1/2反向充电,所以需要并联D1/2以限制DESAT的负压。
第二个问题,通常上管会有独立的驱动芯片,其高边供电也是和下管驱动芯片隔离的。不然,则需要用电荷泵功能提供高边驱动电压。
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