ISO5852去饱和的外围电路-综合电源技术-世纪电源网社区

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LV8
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LV8

副总工程师

2017-12-25 14:17:07

10问答币

【不懂就问】
之前问过，但是没有完全懂
如图，是一款IGBT模块驱动芯片
其中在去饱和保护设计时，有这么一段说明
“在开关感性负载时，会导致IGBT续流二极管上出现较大的瞬时正向电压变化
这会使得DESAT引脚上出现较大的负电压尖峰，会从器件中消耗大量电流
为了将这些电流限制，可用一个100-1000Ω的电阻和DESAT二极管GL41Y串联
，再选用一个肖特基二极管MM3z12vb，效果更好，这种二极管正向电压很低
可以确保在低电平下，把DESAT输入钳位到GND”

【1】最后一句中的，低电平下，是指输入in低电平吗？那如何利用低正向导通钳位到地？
【2】把DESAT输入钳位到GND，是如何通过D2、R1、D3和D4的配合把DESAT引脚的尖峰给去掉？是和下图吸收电路原理一样吗？
【3】电阻值怎么计算来的？

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nc965

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【1】最后一句中的，低电平下，是指DS低电平【2】把DESAT输入钳位到GND，是“尽可能”钳位到GND的意思，因为肖特基Vf较低。【3】电阻值根据信号计算来的，限流作用，防止二极管反向恢复电流冲坏DESAT口

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		2 nc965 nc965 离线 LV7 版主积分：93800 \| 主题：115 \| 帖子：27393 访问空间发消息积分:93800 版主最新回复 2017-12-26 09:11:20 倒数1
		【1】最后一句中的，低电平下，是指DS低电平【2】把DESAT输入钳位到GND，是“尽可能”钳位到GND的意思，因为肖特基Vf较低。【3】电阻值根据信号计算来的，限流作用，防止二极管反向恢复电流冲坏DESAT口回复 \| 举报 \|

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