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未解决

辐射在80M,100M左右超了，怎么整改啊

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bdfengf

bdfengf
离线
LV3
助理工程师

积分：201
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主题：8
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帖子：21

积分:201

LV3

助理工程师

2017-12-25 18:29:27

50问答币

辐射图形，和原理图如下

辐射.png (134.25 KB, 下载次数: 58)

辐射.png

原理图.png (86.57 KB, 下载次数: 66)

原理图.png

收藏2

		2 bake_ql bake_ql 离线 LV8 副总工程师积分：7344 \| 主题：5 \| 帖子：828 访问空间发消息积分:7344 LV8 副总工程师 2017-12-25 21:06:13 倒数4
		几点建议不一定准确，仅供参考：1.输入端进线L N上加磁环； 2.变压器加屏蔽铜箔后接地，输入端也可以考虑实施； 3.Flyback 输入端和功率地之间加MLCC电容或者Film电容；减小高频回路； 4.Flyback功率MOS考虑并联一颗外置电容，减小dv/dt；可能会影响效率哦 5.MOS散热器原边接地 6.原边-副边之间Y电容可以考虑增加B-core； 7.调整变压器绕组结构及绕线方式， 8.调整RCD吸收电路参数 9增大CM choke值，或者采用非晶磁芯 10.看layout上是否有问题，尤其是CM choke，Y-cap走线相关的部分’ 回复 \| 举报 \|

		3 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93663 \| 主题：115 \| 帖子：27356 访问空间发消息积分:93663 版主 2017-12-25 23:18:24 倒数3
		挪一挪地线即可回复 \| 举报 \|

		4 TPbobby TPbobby 离线 LV1 本网技工积分：46 \| 主题：0 \| 帖子：4 访问空间发消息积分:46 LV1 本网技工 2017-12-29 10:35:46 倒数2
		80M，100M可以基本确定是次级二极管导致的了。解决办法有两个： 1、调整次级RC吸收，在二极管温升允许的情况下尽量减小次级电压尖峰； 2、改变Y电容支路阻抗：减小Y电容阻值，Y电容支路串磁珠，串电阻回复 \| 举报 \|

		5 ershao713458 ershao713458 离线 LV6 高级工程师积分：1412 \| 主题：0 \| 帖子：85 访问空间发消息积分:1412 LV6 高级工程师最新回复 2017-12-29 10:41:21 倒数1
		要不调整一下次级吸收？回复 \| 举报 \|

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