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反激电源的最优匝比。

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abc痕迹
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助理工程师
  • 2017-12-25 22:11:54
做单端反激电源怎样去估算最优匝比???
nc965
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  • 2017-12-26 08:57:11
 
顶楼有个表格,一目了然
【原创】反激变压器设计要领
abc痕迹
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助理工程师
  • 2017-12-26 17:50:48
 
mmexport1514280902839.jpg 可以调整一个反激5V6A的参数出来看看吗?我输入参数感觉调整怪怪的
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2017-12-26 19:37:37
 
不要相信表格,不同牌子ic不一样呢。。。相信自己去实验呀,,哪里有什么最优渣比,,你还要很多参数呀
nc965
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  • 2017-12-26 20:21:55
 
匝比当然有最佳值,而且跟IC的牌子基本没有关系,而且这个问题还没有复杂到需要靠实验去设计的程度。
abc痕迹
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助理工程师
  • 2017-12-26 21:36:48
 

5V6A,你设计个参数用你的表格,我按你设计的参数做个变压器出来看看
nc965
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  • 2017-12-27 08:29:56
 
那个贴内有很多咨询,3楼表格中对每个参数都有说明,自己看明白后下手。如果自己懒,想请人帮忙,也至少要说一个“请”。
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-5 17:44:35
 
您说用什么变压器he 和ic型号我帮你设置一个
abc痕迹
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助理工程师
  • 2018-1-5 18:26:27
 
5V6A  65KHz DCM模式,PQ2016慈心,AE60mm^2骨架幅宽mm。可以的话把详细设计过程也发给我学习学习一下,非常感谢。
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-10 12:43:59
 
您这个是PSR????怎么不用CCM的模式的???你这个DCM峰值电流高压,前端高压MOS温度容易高,DCM的???使用时爱瓦特的IC???65KH,,??怎么看你这个ic都可以进CCM???

abc痕迹
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助理工程师
  • 2018-1-10 17:30:29
 
SP6650A_V1.1 CN.pdf (539.78 KB, 下载次数: 149)
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-11 11:40:33
 
建议连续深度在0.44左右!!初级60TS  次级4TS   VCC 9TS 电感量为900uH    使用三明治打法!初级一层--屏蔽---VCC--次级--初级!!!!!!!! 这够清楚了吧????输出同步整流!!!!搞不好就用我们家IC 吧!!!哈哈哈原厂啊
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-11 11:25:38
 
竟然说跟IC没关系??????反对!!!
nc965
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  • 2018-1-11 11:29:59
 
说的是跟IC的品牌没有关系,与IC的控制模式或许有点关系,但单就反射电压(匝比)而言关系不大,除非MOS内置(DS电压收到限制)的。
兄弟能否举出颇有关系的例子?
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-11 11:43:33
 
是与很大关系的!!!最大占空比!!!工作检测方式!!!!最大最小导通时间!!!等等!!!渣比还是有关系的!!!我之前做AE的!!这个还是有关系!!!人见人智吧!!
nc965
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  • 2018-1-11 15:26:18
 
你能不能举个例子来说服我?
鸿雁长飞光不度
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  • 2018-1-18 17:22:37
 
您以前有做ic类工作不?
nc965
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  • 2018-1-18 17:33:31
 
我专做IC,芯片定义或者叫系统定义
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-18 18:16:27
 
类似于什么??  AE?  FAE??还是设计晶元仿真类的??还是看市场出做IC功能类的PM??
nc965
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  • 2018-1-18 19:49:08
 
给IC设计工程师提供研发一款新IC的思路、算法和主要功能定义,这个职位叫做系统定义工程师。类似于给 AE、 FAE技术交底、解释任务或者解惑的那个人。
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-19 11:33:16
 
哪家IC????请问
nc965
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  • 2018-1-19 11:47:24
 
几个小公司的。比如此贴138楼这个芯片(这个也可以做成反激):
无电解无纹波LED驱动电源产品新鲜出炉
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-18 18:19:45
 
您有没有搞过18w,输出12v,无Y,接地,要六个db余量的案子???最近这个方案搞死我了!!传导辐射呀!!!!!!!!!
nc965
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  • 2018-1-18 19:46:56
 
这与你说的匝比什么的能扯上关系?
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-19 11:32:28
 
这叫偏外话,问一句
nc965
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  • 2018-1-19 11:54:58
 
最近在指导一个学生搞这个案子
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-19 15:44:42
 
还指导个学生!!!!华为方案!!!对你来说很简单洛!!!!
nc965
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  • 2018-1-19 15:57:44
 
也不说能就很简单,能否做成,取决于他的灵性,不开窍的人是做不出来的。
Coming.Lu
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  • 2017-12-27 10:02:39
 
做电源(或者说做产品),从来不会有什么最优。
而是 成本,效率,EMI,工艺,采购,仓储 等的折中。
如果,单从技术本身来说,又是 体积,效率,电压范围,纹波,动态响应,EMI 等的折中。
abc痕迹
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助理工程师
  • 2017-12-27 12:21:34
 
我的意思是先從效率出發,把參數做好,根據實際情況做調整。。
Coming.Lu
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  • 2017-12-27 12:23:09
 
如果单从效率出发,那匝比尽量小。
也就是把MOS管的耐压用尽(不浪费)。
greendot
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总工程师
  • 2017-12-27 13:35:51
 
意思是反射电压尽量高?
Coming.Lu
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  • 2017-12-27 14:20:04
 
是的,这样占空比可以尽量大,MOS电流有效值尽量小。
greendot
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总工程师
  • 2017-12-27 14:59:00
 
原来你的匝比是Ns/Np。
Coming.Lu
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  • 2017-12-27 15:09:52
 
呀,上边好像说反了。总之,就是尽量用尽耐压开尽占空比。
abc痕迹
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助理工程师
  • 2017-12-27 15:29:11
 
反射電壓越大,匝比越大,佔空比越大,
greendot
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总工程师
  • 2017-12-27 15:34:01
 
也许这对MOS的导通损耗有利,但其它元件呢?
Coming.Lu
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  • 2017-12-27 15:43:12
 
对多数元件都有利。
当然了,这里是以现有常规元器件来说的。

greendot
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总工程师
  • 2017-12-27 16:30:18
 
一时之间,觉得这个好像不尽然。谁有空的话,纸面上算算一个CRM反激看看?
nc965
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  • 2017-12-27 16:38:28
 
陆工说的是对多数元件有利,意思对少数元件不利,比如钳位二极管
deep_thought
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副总工程师
  • 2017-12-27 17:11:24
 
感觉他说的方向是对的。在保证初级MOSFET耐压的前提下,尽量把PWM DUTY开大,好处如下:
1. 初级有效值电流变小,有助于变压器铜损和MOSFET导通损耗。磁密变化率也变小,磁损也变小。
2. 初级峰值电流变小,有助于减少漏感损耗和MOSFET的尖峰应力。
3. 次级整流二极管耐压可以低,正向压降低。次级绕组有效值电流也变小。
4. 其他,如初次级滤波电容有效值电流小一点。

小缺点:
1. 初级吸收电路反射电压高,吸收电阻损耗变大。
2. 初级开关损耗稍大。

所以这个措施,主要有利于低压输入。而低压输入是效率和温度的难点。
greendot
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总工程师
  • 2017-12-27 18:06:23
 
Duty大,次级的峰值/有效值电流会变大乎? 匝数,铜线长度有改变乎? ΔB有改变乎?
nc965
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  • 2017-12-27 22:16:32
 
这个事不能把参数拆开孤立的看问题,比如匝比的增加意味着副边匝数减少或者原边匝数增加,总用铜可以基本不变,铜线长度有改变乎?
deep_thought
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副总工程师
  • 2017-12-28 08:48:29
 
补充一下前提条件,假设其他参数如电感量、最大磁密设定、漏感、变压器窗口利用率一样,定频模式和额定载工作。

次级绕组的平均电流不变,峰值电流变小一点,电流变化量稍大,所以有效值变化量大小不确定。基本会比较接近。
因为初级的峰值电流变小一点,所以初级的匝数可以稍少。因为匝比大,次级匝数可以少较多。所以总体铜损少。


因为电感量和峰值磁密不变,所以大占空比的磁密变化量稍大,磁损稍大。


结论不变,低压输入时大占空比效率会明显高。高压输入可能稍好一点点。
greendot
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总工程师
  • 2017-12-28 11:15:14
 
磁芯也不变,气隙也不变,是吧 ?那Np,Ns变,Lp,Ls 如何不变? 与你的前提不符了。
deep_thought
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副总工程师
  • 2017-12-28 15:22:25
 
磁芯不变,但是气隙需要变一点,以维持同样的初级电感量。次级的电感量是被动跟匝比走。
greendot
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LV10
总工程师
  • 2017-12-28 15:49:17
 
以CRM为例,P=(Vin*D)2/(2*Lp*fs) ,D 大了,Lp却不变,功率P岂不大了,不是说功率不变的吗 ?
deep_thought
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副总工程师
  • 2017-12-28 15:28:05
 
刚才仿真比较了下,次级电流有效值和峰值在初级大占空比时会变大一些。这也是一个不利因素。
因为次级电流有效值的变大,所以,效率比较效果还跟另外一个条件有关,就是输出是高电压小电流型还是低电压大电流型。
nc965
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  • 2017-12-28 15:40:58
 
主要还是QR影响大
deep_thought
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LV8
副总工程师
  • 2017-12-28 17:40:37
 
你意思是工作在QR模式的反激电路,在高占空比有好处?
nc965
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  • 2017-12-28 18:17:35
 
反射电压越高,QR越软,特别是高压时。
deep_thought
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LV8
副总工程师
  • 2017-12-29 08:41:07
 
同意。反射电压越高,可以把VDS甩到更低的谷点,然后刚好MOSFET导通。
Deshine
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副总工程师
  • 2018-2-2 10:05:03
  • 倒数5
 
怎么甩的?能不能具体讲讲?
deep_thought
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LV8
副总工程师
  • 2018-2-2 17:08:35
  • 倒数2
 
这里指的就是振铃,没有考虑专门的电路。
如果要了解专门的控制芯片,可以问问虹冠,他们有把VDS甩到0V的类似的方案。
abc痕迹
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助理工程师
  • 2017-12-28 16:38:01
 
那是不是就是高壓小電流型去大點效果好點,而低壓大電流型反之?
deep_thought
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副总工程师
  • 2017-12-28 17:22:10
 
是的。
鸿雁长飞光不度
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助理工程师
  • 2018-1-11 11:49:50
 
单从效率出发,那匝比尽量小。??????????还是不敢苟同!!!!!!!!!!!
Coming.Lu
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  • 2018-1-11 20:06:58
 
说反了,上边已纠正,是说的匝比大。
liguanghui2588
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LV7
实习版主
  • 2017-12-28 15:58:31
 
好多参数到最后都要折中考虑选择
Coming.Lu
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  • 2017-12-28 17:40:47
 
是的,如果从做产品的角度来讲,确实是要折中。
boy59
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  • 2018-1-20 10:56:27
  • 倒数10
 
无标题1.jpg

Vin=300V,Vo=12V和Vin=100,Vo=5V,不同匝比时的反射电压及输出二极管反向电压曲线。(n=Np/Ns)
无标题2.jpg
Vin=300V,Vo=12V和Vin=100,Vo=5V,匝比与占空比的临界曲线。
无标题3.jpg
假设电感L=600uH,开关频率f=60Khz,功率和匝比的临界曲线。
上述曲线只能看个大概,如果有匝比和效率的关系曲线,估计可以找出“最优匝比”。
liguanghui2588
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LV7
实习版主
  • 2018-1-20 11:42:00
  • 倒数9
 
通过这个计算可以估算出最优匝比?
nc965
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  • 2018-1-20 14:49:41
  • 倒数8
 
不能,所谓最优,只是对你这个电源最合适而已。
liguanghui2588
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  • 2018-1-20 17:24:37
  • 倒数7
 
每个电源都不一样,是针对性的
Deshine
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  • 2018-2-2 10:07:33
  • 倒数4
 
你这个是MATHCAD做的吗?可以分享一下吗?
boy59
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一川
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  • 2018-1-21 09:34:07
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估计很多人算出来的都有差异吧。模拟电路不像数字电路那样,非0即1的,没有固定值,大家用自己算的去设计,一般也都能正常工作,而且长期应用到现场。
sxjbiti
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公式表格作为参考,调试的时候还需要微调
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