 |  | | | | 首先看你采样干什么用，只是限流保护（它就一个较高幅度的阈值）的话可以随意一些，要读电流过程（它有细节和低幅值信号）的话就要仔细了。
电流采样在布局上的一般原则：
1、首先要满足开尔文连接，信号和功率连接要分开，你没有完全满足（地没有连过去）。
2、在此基础上，信号连接要尽量短捷，也就是采样电阻应该靠近运放采样口，你没有靠近（R278，R277远离IPM pin23,22,21）。
3、当采样电阻无法靠近运放采样口时，连接线的最佳结构是同轴电缆、双绞线次之、平行线（你的）再次之。
4、传输线要以阻抗划分，以低阻抗做连接，高阻抗端子附近要最小化布局，R279，R267，R266，C52都要靠近IPM（而不是采样电阻）布置。
5、R278，R277这两根低阻抗连接是差分线吗？尽量争取其中一根是地，信号线被地包围，如果两根都是差分信号，也最好再用地包围。并注意底层信号的感应。
6、信号线细点无妨，地线粗点无妨，但只做屏蔽，只传递电平，不传递信号。
7、IPM模块的地应该是仔细规划过的，一般都有两个接地，功率接地和信号接地，要严格分开（一般不能接在一起）。如果有驱动接地，布局原则详见【三圈两地】。如果没有驱动接地（做内部了），只有信号接地，那就可以（应该）把芯片地接到电流采样的地（而不是大电解），消除差分连接。
8、CY10直接接地，不要接到采样端子上去。
9、整体布局别扭，感觉有问题。
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| | | | | | | 大师：我这边的总电流采样只做保护，不做FOC控制 1，第一个地我这边是通过电源地接到IPM的输入电容负端然后一根线连到BUS-的，我仔细想了一下，其实应该是连到采样电阻的正也就是 21,22,23
这样其实也是IPM电源的GND
2，为啥采样电阻要远离 IPM的23,22,21 离得越远 那不是23 22 21连接到采样电阻的铜皮越远，那么阻抗也越大，本来这两个采样电阻并联才0.025r 如果阻抗也大的话，会造成采样电压过高，会误保护
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| | | | | | | | | 是说你的R278，R277远离IPM pin23,22,21，不妥 |
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| | | | | | | | | | | 这个已经靠的很近了，采样电阻靠近 IPM 21 22 23
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| | | | | | | | | | | | | | | 恩 ，您这个的确近了很多，
元旦刚刚拜读了你的三圈两地的帖子正好也有个问题，如图接地点Cg，您这边是说所有的弱电地都是接到这个Cg上，如果我的弱点电源是一个电解加一个去耦的话，这个接地点是接到去耦上呢?还是电解上？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 地线上不要加去耦电抗，一般都是加在供电一侧，算供电回路。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 帮忙再看一下，图一现在我改成接地点在去耦电容的负端，但是去耦电容到采样电阻通过R108 0R短路 中间过了两个过孔
采样电阻下移，这样应该没问题了吧？
图二是开关电源接地点 我现在也改成了所有点连到去耦电容的负端
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不知道你说的去耦是啥，开关电源中几乎每个电容都是去耦
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 额，就是 并联在电解电容上的104瓷片电容 ，接地点现在都选择在这个104的负端 |
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| | | | | | | | | | |  | | | | | | | | | | | | | | 一般每个芯片都有一个VCC电容，其中驱动单元的的VCC电容应该作为拓扑控制接地中心，因此，你要找出有几个拓扑？每个拓扑有一个驱动单元，它的VCC电容才是该拓扑的控制接地中心，其他芯片的VCC电容不是接地中心。
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