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未解决

PMOS 一导通就烧毁

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zian668
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LV1
本网技工
  • 2017-12-26 19:37:37
10问答币
电路如下: 1.  Q4 一导通就烧。 Q4 的VDS=-60V ,VGS=-20V,I=15A。 我用的场合是VDS=32,VGS=16V,I=5A。                                                                                      2. 初步怀疑是Q4进入饱和状态慢,在放大状态时间长,放大状态的RDS较高,所以Q4烧毁。                                                                                                               请教下大神有没有解决方案啊,对了,VCC瞬间是重载,因为有2200u电容在。

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liguanghui2588
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  • 2017-12-26 20:52:40
 
重载电流有多大啊,
nc965
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版主
  • 2017-12-27 11:32:54
  • 倒数10
 
这里有几个例子参考:浮驱的技巧
liguanghui2588
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版主
  • 2017-12-27 11:45:35
  • 倒数7
 
这个帖子不错,可以参考
ailuer_shijidianyuan
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LV8
副总工程师
  • 2017-12-27 11:41:32
  • 倒数9
 
是浪涌电流,得缓慢开启
liguanghui2588
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版主
  • 2017-12-27 11:44:56
  • 倒数8
 
就是个开关作用,哪来的浪涌电流
ailuer_shijidianyuan
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LV8
副总工程师
  • 2017-12-27 11:56:54
  • 倒数5
 
输出电容啊,开启的时候就有浪涌电流,输出VCC端电压上升速度越快,浪涌电流越大,不信你入口串联个电阻试试看还能不能烧,以前我遇到过
zhoupxa
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LV8
副总工程师
  • 2017-12-28 09:20:15
  • 倒数4
 
同意楼上。快速开启会造成电容充电涌流,MOS又非零导通,导致管子烧毁。可采取慢速开启限制开关电流,也就是控制MOS导通电阻缓慢减小,当然控制电路得做改进。
liguanghui2588
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版主
  • 2017-12-28 09:35:10
  • 倒数3
 
主要是输出电容太大了,瞬间导通的电流大
deep_thought
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LV8
副总工程师
  • 2017-12-27 11:51:54
  • 倒数6
 
开通瞬间超Q4 MOSFET的安全工作区。
ZWC317441532
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LV10
总工程师
  • 2017-12-28 09:44:17
  • 倒数2
 
是否可以加一个扼流电感呢,或者电容加在输入端呢,导通之后也有滤波作用.
liguanghui2588
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版主
最新回复
  • 2017-12-28 10:02:43
  • 倒数1
 
电容没有必要那么大,小一点这个问题就可以解决了
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