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| | | | | 没有寄生体二极管的都可以实现呀。比如SIC-MOS,再比如GaN-MOS
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| | | | xkw1cn- 积分:131244
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积分:131244 版主 | | | | | 没体二极管的MOSFET都是线性放大用途。通常是平面结构;VDS和RDSON都很差。且相当昂贵。
如小功率信号放大用的国产3DO系列。
不知道楼主打算用在啥地方?
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| | | | | | | | | | | 我不是楼主啊 ,用在充电电路反接保护,关断时由于体内二极管会有漏电流,所以看看没有体内二极管的mos管
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| | | | | | | | | | | 谢谢您的回答。我想做一个切换,导通时电流双向流通,用继电器怕开关速度太慢,所以想用双向MOS,但后来我发现现在很多继电器内部就是双向导通的MOS。 |
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| | | | | | | | | 硅MOS才有寄生的体二极管,宽禁带的半导体如碳化硅和氮化镓材料做的MOS是没有体二极管的。
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| | | | | xkw1cn- 积分:131244
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积分:131244 版主 | | | | | | 有没有二极管与材料没关系。只要是垂直导电结构;都有二极管。SiC也一样。
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| | | | | | | | | | | | | 不想争论,你自己去gansystem看看他们家的GaN-MOS就知道了。
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131244
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积分:131244 版主 | | | | | | | | 那家GaN是硅基平面结构好不好!呵呵!
看看三菱的沟槽结构;有没有寄生二极管。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 我有把焦点放在垂直结构还是平面结构么?使用氮化镓的异质结形成的二维电子气来形成平面器件有什么问题么?
满足提问者要求的无寄生体二极管即可。
BTW,我一个微电子专业的毕业生,需要你来给我讲解半导体器件结构?
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131244
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积分:131244 版主 | | | | | | | | | | 二维和垂直沟道都没弄清楚就报微电子毕业的,你也不怕你老师悲伤过度。哎!
尼前面提到的SiC;还有平面二维工艺做产品的吗? 可GaN却还有沟槽结构的产品在售!
材质与结构就没有绝对关系。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我有说材质和器件结构有必然关系?
你要装X也不能这么诬陷我吧。
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| | | | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131244
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积分:131244 版主 | | | | | | | | | | | | 你在六楼说的是啥?大声念三遍!!!
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| | | | | | | xkw1cn- 积分:131244
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积分:131244 版主 | | | | | | | | 有的!这是数据表。不知你要的是啥参数?为啥用这种MOSFET?
另外;这种MOSFET用途极窄,价格相当昂贵。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 就是用在充电隔离的,关断时由于体二极管的反向恢复时间,会漏电,所以选这种没有体二极管的额
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| | | | | | | | | xkw1cn- 积分:131244
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积分:131244 版主 | | | | | | | | | | 如果仅是这个应用,给你个神器看看。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我发现现在有很多继电器都是这种MOS型的,正好弥补了普通继电器开关速度不够的问题。
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| | | | | MOS本身就能过双向电流。
过反向电流时候只有压降不大于二极管导通压降,二极管就形同摆设了。
一般体内二极管导通压降在0.8V左右。甚至更大。
比如说你选择5毫欧内阻的管子,0.8V压降之前允许你过160A电流了。
如果2并联内阻减倍,达到320A电流二极管才能够压导通。
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