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未解决

关于MOSFET充电的问题

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one-piece
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-9 15:44:24
10问答币
一般文件说门极驱动功率的计算为PD=Qg*U*fsw;
请问下这部分功率是存储在MOSFET里面的么?
如果不是,门极关断时候,消耗在Rg和推挽PNP上的功率是哪来的?
xkw1cn
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  • 2018-1-9 15:47:01
 
建议把门极看成电容,就好理解了。
one-piece
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-9 16:22:15
 
我的理解是,门极充满电之后储存的功率就是fsw*Qg*U,之后全部消耗在电阻和二极管上;但是这样的推导是错的,所以有些想不明白
nc965
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  • 2018-1-9 17:51:25
 
错在“全部消耗”,你怎么知道是全部消耗?
one-piece
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-10 08:38:19
 
个人认为,如果不是全部消耗,当turn off时,如果MOSFET里还存在能量,不是关不了么?
nc965
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  • 2018-1-10 11:49:54
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这个回路除了电阻和二极管,还有其他东西,你怎么就判断它全部消耗在”电阻和二极管上了呢?
xkw1cn
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  • 2018-1-9 18:10:46
 
推导没错。
Turn “ON” 电源供给QgU的能量,栅储能1/2;栅驱动电阻性耗能1/2.
Turn “off” 栅储能电荷被驱动电阻释放,能量全耗在电阻上。
one-piece
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-10 08:40:15
 
可否解释下,为何是1/2*QgU的能量存储在栅极,一直以为Qg*U全部能量存储在栅极才可以工作的;
YTDFWANGWEI
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  • 2018-1-10 09:50:27
 
因为电容储能式0.5C*U*U.
zhoupxa
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LV6
高级工程师
  • 2018-1-10 11:18:08
 
电容储能等于1/2*QU(Q: 电容电量,U: 电容电压),不是QU
zhoupxa
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LV6
高级工程师
  • 2018-1-10 11:26:29
  • 倒数10
 
Turn “ON” 电源供给栅极QgU的能量,栅储能1/2;栅驱动电阻性耗能1/2.
。。。。。。

栅驱动电阻耗能不是1/2*QgU,应该是i^2*R*t吧(i栅极电容充电电流,t充电时间)

xkw1cn
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  • 2018-1-10 13:39:10
  • 倒数8
 
你把I对t积分成电荷量,看是多少
zhoupxa
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LV6
高级工程师
  • 2018-1-11 08:54:48
  • 倒数3
 
从能量角度是否可以认为,在一个周期内,栅容充电能量1/2*QgC,然后这个能量被栅阻消耗,驱动电路下一周期又给栅容充电,如此反复
nc965
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  • 2018-1-11 10:13:32
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GS电容量以及Qg参数都与电压有关,可能还与频率有关。
YTDFWANGWEI
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  • 2018-1-10 14:48:13
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串联电阻给电容充电,电容冲进去的能量等于电阻消耗的能量。
zhoupxa
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LV6
高级工程师
  • 2018-1-10 16:33:36
  • 倒数6
 
这个实在是还给老师了,有具体推导吗?学习下
YTDFWANGWEI
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  • 2018-1-10 16:55:25
  • 倒数5
 
我把过程还给老师了,不过我把结果自己留下了
one-piece
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LV8
副总工程师
  • 2018-1-11 08:36:00
  • 倒数4
 
感谢各位大神,这个问题想明白了,然后按照套路,还有一个问题:RLC串并联电路的衰减系数怎么求?
求回答
xkw1cn
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  • 2018-1-11 10:37:54
  • 倒数1
 
这得用二阶以上函数。建议求仿真吧。
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