| | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | |
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| | | | | | | 我的理解是,门极充满电之后储存的功率就是fsw*Qg*U,之后全部消耗在电阻和二极管上;但是这样的推导是错的,所以有些想不明白
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| | | | | | | | | | | 个人认为,如果不是全部消耗,当turn off时,如果MOSFET里还存在能量,不是关不了么?
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| | | | | | | | | | | | | 这个回路除了电阻和二极管,还有其他东西,你怎么就判断它“全部消耗在”电阻和二极管上了呢?
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| | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | 推导没错。
Turn “ON” 电源供给QgU的能量,栅储能1/2;栅驱动电阻性耗能1/2.
Turn “off” 栅储能电荷被驱动电阻释放,能量全耗在电阻上。
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| | | | | | | | | | | 可否解释下,为何是1/2*QgU的能量存储在栅极,一直以为Qg*U全部能量存储在栅极才可以工作的;
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | |
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| | | | | | | | | | | | | 电容储能等于1/2*QU(Q: 电容电量,U: 电容电压),不是QU
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| | | | | | | | | | | Turn “ON” 电源供给栅极QgU的能量,栅储能1/2;栅驱动电阻性耗能1/2.
。。。。。。
栅驱动电阻耗能不是1/2*QgU,应该是i^2*R*t吧(i栅极电容充电电流,t充电时间)
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| | | | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | | | 你把I对t积分成电荷量,看是多少
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| | | | | | | | | | | | | | | 从能量角度是否可以认为,在一个周期内,栅容充电能量1/2*QgC,然后这个能量被栅阻消耗,驱动电路下一周期又给栅容充电,如此反复 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | GS电容量以及Qg参数都与栅电压有关,可能还与频率有关。
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| | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | 串联电阻给电容充电,电容冲进去的能量等于电阻消耗的能量。 |
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| | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109774
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积分:109774 版主 | | | | | | | | | 我把过程还给老师了,不过我把结果自己留下了
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| | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 最新回复 | | | | |
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