| | | | | 我猜是:利用可控硅的压降 和 发热丝在不同温度下的电阻(电流不同)来实现调热恒温的吧!
我只是猜的哦!
|
|
|
| | | | | | | 确实可以通过检测发热丝阻抗来控制温度,但它这个不是,它有温度探头。
|
|
|
| | | | | | | | | 版主,能看出这个产品测温的具体方法不?在这款电路中我就想弄清2点,1.运放正脚输入信号波形 2.运放输出波形
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 如果是VR2,VR3 这2个探头来做采样温度信号,那么运放的正极输入必需是个做基准的稳定值,运放才会输出一个随VR2和VR3变化的线性值;问题是运放正极输入是否是稳定的值呢?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 检测是在加温的时候,温升到阈值1关掉可控硅,开始降温,降温期间要检测另一个阈值2,低于这个阈值2重新打开可控硅,他想这样控制。虽然比较笨,但也算是典型的设计思路。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | 你说的很有道理,但我的问题来了,在加热期间运放正极输入是个稳定值吗?如果是,那为什么要用个D3,D4这样弄而不是分别用2电阻分压呢? 如果不是,那么温度应该没办法测准吧?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你可能多虑了,运放正极的偏置不一定需要一个非常稳定的值,它只需要在两个工况出现两个显著不同的值就行,在显著不同的位置分别触发就行。
设计者也可能多虑了,加热工况的检测阈值其实从芯片输出获得就行,没有必要从可控硅状态获得,他这样画蛇添足的设计才引起你的困惑。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你的观点我很赞同,只要在每个工况下运放都有不同的值输出,温度检测肯定是不成问题的;但流过可控硅的电流是交流正半周,在导通的交流周期内,可控硅的导通压降是随正弦电流变化的,它的变化会引起运放输出的大幅变化,这个检测起来太难了吧
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 流过可控硅的电流是在一个工频周期内变化的,但每个工频周期的波形却是基本相同的,重复的。而加热系统是个惯性很大的系统,在很多个工频周期才动作一次(估计是秒数量级),并不是每个工频周期都要动作。因此只要温度达到阈值,它就会在某一个工频周期的某一个相位触发,(在下一个周期)关掉可控硅,进入另一个阈值的检测工况,目的就达到了。至于具体在哪一个相位触发温升,已经不重要了。
实际上,运放的两个输入端都可以是变化的。前面已经有人提到,如何用热丝自己的温度效应来控制温升,那就需要把运放的两个输入端,一个做成电流波形,一个做成电压波形,来比较。这样即使很微弱的热丝阻抗变化都可以被检测到,在哪个相位运放(比较器)翻转,对应不同的温度阈值,实现既不需要温度探头,也不需要AD读数的、还更加精确温度控制。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 流过可控硅一个周期的电流变化为0-3A(假正弦峰值为3A),那么对应可控硅的压降可能在0.5-2V变化,这电路按这值来计算运放输出值,VR2、VR3的阻值无论是多少,在每个导通周期内都可以触发到阀值,因为算出运放的输出值为0-12V变化范围。仔细推敲还真搞不懂了
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 搞懂了还是没搞懂?
如果:加热时对应可控硅的压降可能在0.5-2V变化(实际上应该是-2~2V),那么2.5V一定不会每个周期触发,运放的另一端的阈值就定在2.5V,只有当热敏阻抗变化导致这个端子电压得到2.5V时,运放才会翻转,关断可控硅,阈值跳到比如4V。也就是说,在很多周期内,只有一个周期会触发。
在这里,运放的输出电压多少没有意义,它只是一个触发信号。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不对吧,这个电路要求是150℃到200℃有10档(每增加5℃为1档)的温度可以设定,如果不管运放的输出值,只管高低电平翻转,MCU如何识别当前是多少度呢?
如果只有一个温度值可以设定,那么你说的就应该没问题吧
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个电路的可控硅是单向的,反向不能导通的,所以不只-2~2V,电压是负值可能负到一两百了 |
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 提醒:不要太相信电路图和那些元件型号和参数,即使是你抄板,也可能抄错,何况是别人给你的。
|
|
|
|
| | | | | | | 你说的这种可能我也猜想过,但这类电器很少有这样检测的,可挂硅不同电流下的压降并不是一个可以确认的值,可挂硅升温后压降是更无法去确定了,温度信号变化是需要精确又稳定的摸拟量,所以这种可能性还是比较小的 |
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | 原来如彼,这么个东西还需要这么复杂的电路,有点费油哈。
|
|
|
|
| | | | | 测温元件就是PTC加热器,加热器在不同温度下有不同的阻抗。加热器与单向可控硅串联后,可控硅的导通电阻是固定的,而加热器电阻随温度变化,这样在他们的节点取出温度信息。
|
|
|
| | | | | | | 你说的大部分我同意,可控硅为半导体器件导通后是没有固定电阻的;电源为交流230V可控硅导在正半周导通,下图那点位的波形是否正确?
-
此处波形是否正确?
|
|
|
| | | | | | | | | 应该是这样,你测试一台正常的机,不是一下子就知道了吗? |
|
|
| | | | | | | | | | | 我没有忽略D4啊,你是说波形正半周不对还是负半周不对?
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 我只有原理图没有机啊,所以要找你们这些高手帮忙分析啊
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 可惜了,从原理图看运放输出可能是会超出5V的,所以我都怀疑MCU检测的根本不是AD值,难道测的还是交流正半周运放输出的高电平宽度时间?无从考证,期待解决
|
|
|