世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
未解决

LLC _MOS比較

[复制链接]
查看: 1365 |回复: 7
1
car537
  • car537
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1234
  • |
  • 主题:53
  • |
  • 帖子:312
积分:1234
LV6
高级工程师
  • 2018-2-12 18:02:49
10问答币

請問 如果兩家MOSFET 用在 LLC 部分運用
兩者要比較那一個優劣,除了看 驅動波形 ,驅動波形上升下升速度,還可以藉由示波器量測甚麼??
知道此顆MOSFET 性能 值不值得用。

h8f10
  • h8f10
  • 离线
  • LV8
  • 副总工程师
  • 积分:3317
  • |
  • 主题:11
  • |
  • 帖子:756
积分:3317
LV8
副总工程师
  • 2018-2-13 09:08:20
  • 倒数7
 
性能的话再测测效率,
主要还是看可靠性,做高温下负载空满载切换测试(至少两小时以上,有条件的话做8小时以上)。
car537
  • car537
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1234
  • |
  • 主题:53
  • |
  • 帖子:312
积分:1234
LV6
高级工程师
  • 2018-2-13 09:13:38
  • 倒数6
 
謝謝你的回覆,

目前狀況就是 兩個 MOSFET  ,一個70mR ,一個 80mR。

  一些 參數上 70mR 比較優。

但是實際測試上,80mR 這顆,反而 EFF 高約0.3%

所以想請透過示波器去量測那些波形???…

來比較兩顆MOSFET 差異。
car537
  • car537
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1234
  • |
  • 主题:53
  • |
  • 帖子:312
积分:1234
LV6
高级工程师
  • 2018-2-14 12:34:54
  • 倒数5
 
頂頂。 支持回復呢

liguanghui2588
  • 积分:9171
  • |
  • 主题:55
  • |
  • 帖子:2435
积分:9171
版主
  • 2018-2-14 21:48:44
  • 倒数4
 
主要看mos管基本的参数
car537
  • car537
  • 离线
  • LV6
  • 高级工程师
  • 积分:1234
  • |
  • 主题:53
  • |
  • 帖子:312
积分:1234
LV6
高级工程师
  • 2018-2-15 09:07:53
  • 倒数3
 
基本參數 比較 優勢 的   70mR  , 反而 EFF 測試上 沒有80mR 的 EFF 高

zhuliu09
  • 积分:4241
  • |
  • 主题:0
  • |
  • 帖子:843
积分:4241
LV8
副总工程师
  • 2018-2-23 09:41:21
  • 倒数2
 
直接将这两颗MOS装到LLC电路里,实际测试两者的效率差别呀;再测试一下输出短路条件下,两颗MOS哪个更可靠(就是看反向恢复特性);再结合成本,从这三种条件综合考虑用哪个MOS好了。
xkw1cn
  • 积分:131244
  • |
  • 主题:37517
  • |
  • 帖子:55598
积分:131244
版主
最新回复
  • 2018-2-23 21:59:16
  • 倒数1
 
80m的估计栅电荷比较小,建议增大驱动电阻试试。
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦8层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348号-2   津公网安备 12010402000296号