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| | xkw1cn- 积分:131263
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- 主题:37517
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | 这对应的啥封装?
L一般只有3nH等级,没那么夸张。负压原因也不是如此。
但仿真软件还是不错的。
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| | | xkw1cn- 积分:131263
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- 主题:37517
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | |
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| | | | | xkw1cn- 积分:131263
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- 主题:37517
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- 帖子:55603
积分:131263 版主 | | | | | | 如是你说,这个负压是回路电阻性压降,你的示波器测试头地线夹位置不在MOSFET的源极上。
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| | | | | 楼主我也在做驱动负压问题,你的电路图只有电容啊,这是我的电路图,但是仿真结果并不理想,负压的产生应该是在下管吧 |
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| | | | | | | | | 我的仿真文件是这个,sic mos管用的型号是科瑞的C2M0040120D,导进去的模型应该是正确的,测量的是下管的Vgs电压波形,理想的情况应该是图中所示,但是现在下管Vgs不变化,请教一下是为什么
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