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| | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | 这点速度也太普通啦!你手机里就有!————2N7002
设计好的话,还可以提高1个量级速度。
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| | | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | | 两个并?
IRLML0040
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| | | | | 脉冲电流预计10A,电压600-800V之间,大伙谁有了解的吗?推荐一个,或者特殊电路达到的,加速电容方案效果不明显
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| | | xkw1cn- 积分:131263
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积分:131263 版主 | | | | EPC有大把这这类氮化镓MOSFET。建议去官网看看。
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| | | | | | | 脉冲电流 10A,最大的平均或有效电流是多少?或者换个说法,占空比多少? 不要 挤一点说一点。 开始还说电压电流应力不需要考虑,只要开关速度。结果楼上回答了,冒出来800V,就淘汰了绝大部分管子,再来个10A,又去掉一批... ... 还有什么要求?是电源800V? 还是脉冲输出 800V? 脉冲波形又有什么要求??
如果真不是很了解元件,把具体应用场景描述明白, 大家能上网的时间不会多到可以陪你 一直 玩猜猜猜。
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| | | | | | | | | 我是有多个场合需要快速开关的,之前低压那个找到了,现在需要常态800V,脉冲估计要1000V了,脉冲电流10A,常态也就1A左右。是需求在变化。。。不好意思
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| | | | | | | | | | | 可以考虑用 STP3N150,3A、1500V, 比较容易买到,1KV脉冲边沿能做到十几个纳秒,做不到几个纳秒就升降800V、1000V, SiC、GaN的估计也有难度。耐压有 1200V 的 SiC(用来发生1000V脉冲安全余量偏小),和 750V 的 GaN(没串联500V以下吧)
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| | | | | | | | | | | | | stp3n150满足不了要求,有点慢了,ixys的射频应用mos找了有几个满足要求的,就是有点贵,问了下样品要500一个。最后一句没看懂?串联500v以下? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 看到了,再请教一下,这种快速的mos开关的驱动电路是否有特殊要求或者哪里有需要注意的地方??这么高的dvdt会不会尖峰很大啊
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 几个nS开关10A电流,你的驱动就要保证几个nS内将MOS的栅极充放到合适的电压。
做得好的电路过冲可以控制在1%以下,有的大仪器允许过冲是ppm级别的。 简单点的可以测量输出的寄生参数,并联合适的 R C 吸收掉过冲的能量。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1%的过冲啊??那有点难啊。驱动电路是不是普通的图腾柱或者芯片直接出来不行啊?我看ixys有提供专门的驱动芯片的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 大多的驱动芯片是几十nS甚至上百nS级别的,需要找高速的驱动,自己搭图腾柱大概可以弄出能用的,但 数nS级别的 真的非常考你的功夫
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| | | | | 这个开关速度对于GaN MOS而言,都是很普通的。看你实际需要,如果是低压的应用(<200V),可以选择EPC的GaN,如果是高压应用(600V),可以看看transphorm公司或者GaN SYSTEM公司的,松下也有高压的。
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| | | | | | | 我需要800V左右的,脉冲电流10A就够了,找了下epc的基本都是低压的,transphorm的资料是开通时间基本都只有10ns左右了,还是我没找全?
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| | | | | 可以去看看Navitas 的高压GaN MOSnNV6117,和你的要求很接近。 |
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