全桥逆变IGBT开关尖峰吸收问题求教！

各位大师，本人最近设计一款20KW工频正弦逆变器，目前基本完成设计，但在20KW满载测试时，发现直流母线电容（图1中C1/C2/C5/C6）发热严重，用热成像测得大约近90℃，于是将该电容由CBB21-630V-1μF改为100nF,但电容发热仍然十分严重，且RC吸收电阻发热也十分严重，达110℃以上了，随后就考虑去掉这个母线电容。原设计变压器原边电压波形图为图2所示，1通道为IGBT半桥上管CE电压波形，2通道为变压器原边电压波形。直流母线电容改为104后，发现IGBT关断尖峰特别高(图3)，随着负载电流增大，尖峰电压越来越高，12KW负载时快接近IGBT的600V额定值，于是采用以下几种方法试图减小关断尖峰，但都不太理想，请各位大师帮忙分析指点，谢谢！

         
                                         图1 IGBT全桥电路   

图2 变压器原边电压波形和IGBT的CE电压波形               图3 CE电压和变压器原边电压
方案一：去掉母线电容，改变驱动电阻值
原设计IGBT开关驱动均为9.7Ω，考虑将关断电阻增大，以减小IGBT关断时尖峰电压，于是将开关驱动电阻分别改为7.2Ω和14.7Ω，但空载时关断尖峰就远远大于原设计，不知是何原因，IGBT为400A/600V半桥模块，见图4（1通道为IGBT上管CE电压波形，2通道为其驱动波形，3通道为驱动电阻上电压波形）。原设计10KW加载时波形见图5和图6.

图4 IGBT驱动和CE电压波形                                     图5   IGBT驱动和CE电压波形                                图6  IGBT驱动和CE电压波形
方案二：去掉母线电容，改变RC吸收
有网友说IGBT吸收只需要C，无需R，于是仅用C来吸收，分别用332和103尝试，5KW加载时测试图见图7和图8，效果不明显。

图7 CE电压和变压器原边电压                                  图8 CE电压和变压器原边电压                             图9 CE电压和变压器原边电压
于是，增加13OΩ的吸收电阻，测试波形如图9，任然存在较大关断尖峰。
方案三：IGBT反并联低速二极管
由于IGBT内部反并联快恢复二极管，可能不能释放反向电压，于是想在IGBT反并联一低速二极管，由于手头没有1N4007，于是就将1N5408二极管反并联在IGBT每个管上，空载时并无问题，可是当加1KW负载时，发现一燃烧物体从PCB脱落，随后IGBT炸了，不知是何原因，怀疑是由于下管IGBT外加反并联二极管过热损坏，导致IGBT上管损坏。
以上各种方案均不能有效解决问题，还原到原设计（母线电容105，RC吸收中R为25Ω/5W,C为103），只是在20KW满载时，母线电容发热严重，请各位大师指点，如何有效解决此问题。