【福利技术】5.26 北京 高性能新器件电源设计培训会-GaN和磁性元件设计应用

高性能新器件电源设计培训会-GaN和磁性元件设计应用
详细分析磁性元件特性・剖析新器件设计应用・共论前沿技术创新发展
5月26日 北京站
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【培训介绍】

随着宽禁带半导体器件的应用，功率变换器的高频化成为必然趋势，这对磁性元件提出了更高的要求。本次21Dianyuan特邀陈为教授、裴云庆教授在北京举办 “高性能新器件电源设计培训会-GaN和磁性元件设计应用”。（注：GaN-氮化镓）

本讲座将分析磁元件高频化后所带来的关键问题及其挑战，以及如何分析设计高频磁性元件。还会对氮化镓器件的驱动电路、功率回路的优化设计方法进行详细的分析。希望借助本次交流能够解决实际工作中遇到的技术难题，使设计水平得到跨越式提升，在业界竞争中更具优势！

【培训亮点】

1.深度剖析氮化镓器件实际应用中的技术难点
2.讲解氮化镓器件应用中磁元件高频化的优化设计
3.直击氮化镓器件实际使用中磁元件存在的问题

【讲师介绍及大纲内容】

            陈为 教授
福州大学电气工程与自动化学院教授、博导

中国电源学会常务理事、磁技术专委会主任委员

福建省电器智能化工程技术研究中心主任，福州大学工学部副主任
主要研究方向为电力电子功率变换，功率电磁元件，电磁兼容分析与诊断，无线电能传输，电器、电磁和电气元件及系统仿真以及工程电磁场分析与应用等。

大纲内容：功率变换器磁元件高频化的挑战与对策
1. 功率变换器的发展及对磁元件的要求
2. 磁元件高频化带来的理论和实际问题
3. 磁芯的高频损耗及特性
4. 绕组的高频损耗分析及特性
5. 磁性元件的优化设计
6. 高频阵列化磁性元件

     
         裴云庆 教授
西安交通大学电气工程学院教授，博士生导师；
中国电源学会磁技术专委会、中国电源学会变频电源与电力传动专业委员会委员。

曾分别于1997年及2006年赴日本大阪大学电气工学科、美国弗吉尼亚理工学院电力电子系统中心(CPES)访问研究。

主要研究方向为大功率电力电子变换器及控制技术。

大纲内容：氮化镓器件的应用与集成化

1.    氮化镓器件的特性
   1.1   新型宽禁带半导体器件的性能优势
   1.2   GaN器件的基本结构
   1.3   GaN器件的特性
   1.4   GaN器件应用中的难点问题
2.    氮化镓器件的驱动
   2.1   eGaN的驱动电压及驱动电阻设计
   2.2   常用的驱动IC
   2.3   eGaN驱动回路寄生电感的抑制
3.    功率回路的优化
   3.1 eGaN逆导通自激振荡问题
   3.2 漏源回路寄生电感问题
4.    基于氮化镓器件的集成化
   4.1  GaN集成模块的低电感布线
   4.2   集成模块基板材料的选择
   4.3   GaN集成实例

【时间地点】

培训时间：2018年5月26日（周六）8:30-17:00

培训酒店：北京天健宾馆（四层宴会厅）

酒店地址：北京西城区西四南大街62号
交通方式：地铁4号线西四站D出口约400米即到

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