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未解决

Flyback同步整流的VDS尖峰

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CK2727205032
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副总工程师
  • 2018-4-27 14:41:48
10问答币
请教大神们
正常使用SKY二极管整流尖峰很小
使用同步整流MOS后 SR的VDS尖峰高
有大神分析下 VDS尖峰高原因及解决方法?
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edie87
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LV8
副总工程师
  • 2018-4-27 16:46:57
  • 倒数9
 
是不是共通了
五行无缺
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LV1
本网技工
  • 2018-4-27 23:10:20
  • 倒数8
 
你的VDS每个周期的尖峰都是一样高,可用吸收降下来,如果在一段周期中有个别的尖峰很高那是你的周期有大小变动,死区不够,有交越,要加大死区。
moneymouse
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助理工程师
  • 2018-4-28 10:49:08
  • 倒数7
 
同意
CK2727205032
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LV8
副总工程师
  • 2018-5-2 08:29:12
  • 倒数6
 
搭配一次侧的PWM IC,发现使用不同家的IC,二次侧同步MOS的VDS尖峰差异很大,会是什么原因造成的?要调初级PWM的什么参数?
freddyguarin
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助理工程师
  • 2018-11-9 15:29:54
  • 倒数4
 
一次侧PWM芯片的关断速度不同引起的。
孤星灵月
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高级工程师
  • 2018-11-9 12:07:15
  • 倒数5
 
请问一下所谓的加大"死区"是指让其工作模式不要进入深度CCM吗?
pbx2015
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LV8
副总工程师
  • 2018-11-27 20:48:38
  • 倒数3
 
不是的,是增加初级和次级的导通时间差
Victor_lin
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高级工程师
  • 2023-6-21 10:27:48
  • 倒数2
 
请问这个死区能通过更改什么参数加大呢?
毅力137598951
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助理工程师
最新回复
  • 2023-6-25 14:34:15
  • 倒数1
 
同步整流的MOS管尖峰电压高,是因为MOS管的寄生电容与次级绕组的漏感谐振了,导致尖峰电压高,可以通过在DS机加RC吸收来解决。
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