| | | | | 最大的缺点就是关速度会快很多?世间武功,唯快不破,或许是最大优点呢,EMC问题另议。
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| | | | | | | 相对的吧,开关速度快了,功耗会降低,效率会提高,对EMC就是缺点了。。。
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| | | | | | | | | 可能相反,100KHz的电源可能比1MHz的电源EMC更难过。
顺着你的思路:开关速度快了,功耗会降低,效率会提高,频率可以提高,体积可以缩小,环路可以缩小,感应可以降低,对EMC就是有利了。
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| | | | | 降低MOS管的开关速度可以很好的改善电源EMI。
降低MOS管开关速度最直接的办法就是改变MOS管的栅极驱动电阻;
今拿到某君的电源:
用的超级结MOS,EMI过不了;建议其增大驱动电阻;
原驱动电阻为60欧姆,测其波形开关速度为80ns(下左图); EMI测试如下右图,EMI超标好几个点;
将驱动电阻由60欧姆增大到200欧姆,测试开关速度为176ns(下左图),增加了一倍,测试EMI如下右图:
很明显EMI改善不少。
这是我对超级结MOS管开关速度优化以及EMI改善的一点经验,希望对使用超级结MOS的同学有所帮助。
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| | | | | 大概10年前左右,就开始用英飞凌的CoolMOS了。
除了不怎么耐扛之外,没发现多少不好呢(成本除外)。
另外,为什么总把EMI问题怪到MOS头上,原因就是换一个MOS后EMI差了,就能怪它么。
那这样说可不可以,换个共模,变压器,Y电容,磁珠 后,EMI也差,也都能怪它们罗。
再另外,如果换了块PCB,EMI差了,那是要怪 PCB厂家,还是怪PCB工程师呢,要不然怪PCB的送货员。
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| | | | | | | 大师也是过来人呀,不过根据我的经验,作为MOS销售,遇见的客户都愿意直接替换,不愿意改版,在这方面还是存在的。。。
当然直接从头设计的话就另说了。
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| | | | | | | | | 本来就不该换来换去。
换个MOS,不仅仅是EMI问题,很多东西都要重新测试,验证,整改。
可有些公司就觉得换上去,测一下,省点成本,自己就赚了。
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