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| | | | | | | 您好,我的变压器磁芯型号PQ4040,原副边各一个绕组,匝比N1:N2=28:8,原边励磁电感实测约Lm=63uH,漏感约4uH,外置谐振电感磁芯PQ3530,约17uH,谐振电容30nF。这里电感比值k取的是3。
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| | | | | | | | | | | 现在做的开环实验,频率200kHz,谐振频率也是200kHz,输入电压只给了20V(额定400V),增加输入电压的时候振荡更加严重,出现这种情况没敢再往上加电压了,分析不出原因所在。 |
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| | | | | | | | | | | | | 嗮出你的电路图,详细用管,元件参数。光有个波形图不够。额定400V ,你是给20V,你以为是在做反激电源吗/?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | Cool MOS?好好看看资料吧,主要查看体二极管!
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| | | | | 检查一下被你当前条件下的工作状态是否实现了软开关,主要看开关管的VDS波形是否在VGS上升之前下降到零。
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| | | | | | | 您好您好,我看过波形,虽然谐振电流几乎是正弦波,但没有实现MOS管的软开关,您的意思是工作区间不对?
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| | | | | | | | | | | 谢谢您,不还意思,昨天有事没能上线,下面是驱动电压和Vds波形,没能实现ZVS。
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| | | | | | | | | | | | | 你MOS管外并的那两颗电容能不并就尽量不要并,其次如果体二极管没有问题(即死区时大于反向恢复时间),可以计算一下空载的时候结电容需要多大能量才能抽空,电感电流也是可以计算的,需要多高电压能软就知道了,可以继续增加电压,看看有没有软的迹象,如果有可以继续增加,如果没有就不要增加了。按你的参数计算,最多只能出960W。
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| | | | | | | | | | | | | | | 非常感谢您,我明天就去试一下,另外,关于空载电容能量和电感电流的计算,如果有资料的话可以分享一下吗?我手上没有关于这个的资料,没有也没关系,明天我自己去找,谢谢您。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这些都是电磁学里的基本公式,电容的能量W=1/2CUUF,电感电流IL=V*Ton/L其它相关公式自已去查一下吧,这样才记的牢靠些。
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您好,看了你貼出來的資料,我大概明白怎麼回事了,關鍵你是在DC20V時調試的,LLC在低壓時,無法對漏感填充足夠的能量,當然就沒有軟開關的效果。一定要到正常電壓下測試。
在測試前,請做好如下評估,
1、我不知道你用的什麼控制芯片,請用示波器單次觸發功能,先連好示波器,再上控制電壓(母線先不上電),查看死區時間,在300-400納秒之間就足夠了
2、你的功率管,選型過大,一個直流有400V的供電,需要出1000W,建議用STW25NM60ND(一定要後綴帶ND的管子)已經足夠了,過大的功率需要更多的漏感能量。
3、按最高電壓90V,PQ40的變壓器,根據你選著的頻率,很明顯你的圈數配置不當,原邊最多也不會超過20圈,諧振電容也偏小。
一步步來,一個一個問題解,我們協助你。
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| | | | | | | | | | | 非常感谢,昨天400V上电炸机了,很沮丧,但是现在上线看到大家这么热心的帮助,真的很感谢,谢谢!
1)当时想选一个过电流能力强的管子,因为怕烧管子,的确选的不合理,后面打算换掉,另外谢谢您的推荐;
2)变压器匝数设置其实我也并不是很清楚,当时想着为了防止磁芯饱和就尽量增大匝数,听您这么一说感觉应该是有问题的,明天我将匝数降下来重新绕制一个变压器;
3)没有工作在所设计的工作区间内可能导致漏感能量不够,我在上电状态下增大输入电压的时候,驱动振荡的程度更加严重,运行几分钟后管子发热也严重。直接400V上电的时候电源保护了,还烧掉了输入侧保险丝。不知道如何增大输入电压合适,我想能不能20V、40V、60V····这样慢慢增加上电电压,保存上电后短时间内的波形,再断电?
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| | | | | | | | | | | | | 你炸管的原因吗,我看了下,你用的管子,体二极管恢复时间是460NS,而你的死区时间还那么小,所以炸管。赶紧把管子换了,在直接上400V,不要怕,哪个做电源的,一开始不是要炸几个管子。(直接400V,按规矩来,其他条件不满足,当然看不到正确的波形)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 哈哈,没事的,我现在是越挫越勇,当然也是要经过分析再去尝试,谢谢您!
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| | | | | | | | | | | | | | | 谢谢谢谢,满满正能量,新手上路,真的很感谢你们的帮助,下面我按您说的去尝试一下。 |
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| | | | | | | | | 低压输入时,原边的励磁电流比较小,在死区时间内或许不能实现开关管输出电容电荷的完全抽取,导致开关管不能实现ZVS,同时,低压条件下,开关管的结电容是比较大的,结电容随电压是非线性的。
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| | | | | | | | | | | 赞同。应该是低压下MOS管结电容和门电路产生的耦合震荡。
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| | | | | | | | | | | | | 非常感谢,我自己也觉得这种开通过程中驱动电压的降落像是某种干扰造成的,如果像您所说的是低压下耦合振荡,那么有什么建议能消除吗?谢谢。 |
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| | | | | | | | | | | 非常谢谢您,我试着将死区时间加大过,增大到400ns,但并没有什么明显效果。另外我想增大输入电压,但是观察到振荡更加严重,加到过80V,没敢往上再加。
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| | | | | | | 好的好的,非常感谢您,我明天试一下,还有什么建议的话欢迎发言,谢谢!
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