|
|
|
| | | | | 磁性元件设计计算,主要是根据两大定律,安培定律和电磁感应定律来做变换得到,仔细看下这两大定律,你就明白了。
|
|
|
|
| | | | | | | 几个公式相互关联,相互影响。
一个公式想是想不明白的
|
|
|
| | | | | 最近又理解一下,A对应的△I,对应求出△Bac B-A对应的△I求出△IBdc
△Bac与△IBdc关系为Krp的关系。
问题是一般取饱和磁通小于0.3。对应CCM反激,这个0.3是△Bac,还是△Bac与△IBdc的和?
按照反激原理应该是△Bac吧? |
|
|
| | | | | | |
1. 0.3 是指 Bpk
2. Krp 有多個定義, 有= ΔI/Ipk , 或 (ΔI/2)/Iavg ....
3. 算出 Np = Lp*ΔI/(ΔB*Ae) 後,再調節氣隙,使Lp達到要求值即可。
|
|
|
|
| | | | | | | | | | | 追究这个意义不大,最大磁损一定发生在临界模式,进入CCM模式虽然可能Bac减少,磁损降低,但电流更大,铜损更大,变压器多半更热些。 |
|
|
|
| | | | | | | | | | | 1. ΔB 的取值主要是看磁损,2. 它们的关系就是 Krp ,
3. 可以用下面式子估算一下 Bpk,其中 fs 开关频率,Ve 磁芯体积,Po 输出功率,
评分查看全部评分
|
|
|
|
|
| | | | | | | | | 您帮忙解答一下计算Bmax=(LP*I)/(NP*Ae),这个公式对吧?
式中的I是取CCM时的△I,还是取Ipk那?
|
|
|
| | | | | | | | | | | 建议按临界模式设计,也就是要知道临界点在哪里,才能把控整体。
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | 好,按照您这个思路。设定低压半载进入临界模式,这里的B值,IPk值,LP值,Np值我会算
然后的步骤是验证之后负载继续变大,进入连续模式,计算满载时的Krp对吗?
那还用验证满载连续时B值是否超过临界时的B值吗?
|
|
|
| | | | | | | | | | | | | | | 建议按满载过渡电压设计,更好把控一些。这样,过渡时以及进入CCM模式后,按理Ipk应不变(连续过渡),Bmax就不会变,这已经是(满载)最大值了。至于最低电压满载时的连续深度,Krp值多少,基于上述原因已经不重要了。
|
|
|