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| | | | | | | 应该是没有,测试管子驱动电阻完好,DS间二极管特性完好。更换驱动芯片后,驱动波形也正常。
但是,强电接入后,就又损坏了
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| | | | | | | | | 你是芯片直接驱动对吧, 加一级芯片或图腾柱隔离一下吧,供电还是由自举电容供电。
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| | | | | | | | | | | C38改为1UF,D3改为高压超快恢复的二极管试试
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| | | | | | | | | | | 不是的,控制芯片是28035,中间有SI8230隔离驱动
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| | | | | 有一种损坏是接地设计不良引起的(特别是处于输入端和输出端的芯片),摘录 【三圈两地】22楼:
2、输出突然短路、或者输入在交流的高电压角突然开机,电容 Co 和 Ci 呈短路运行工况,可能在地线的 GND-E 或者 A-GND 段上产生非常强大的电流和高达足以烧坏芯片的电压差(可能十几伏或更高)。有不少人开机或者短路就烧芯片(其他不烧),多半是这里没处理好。
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| | | | | | | 我10几前做过10KW的三相无刷控制,当时用的桥驱是IR公司21**型号。 也是自举供电. 芯片老是烧上驱,下驱完好。由于是多管并联,驱动单管有可以。经验又没有,找不到原因。怀疑是驱动能力不足,也许是GS释放的电流(灌电流)导致的吧,很可能是上楼主说的压差有关。 灌电流和压差形成某种关系说不上来, 后来自己搭个模拟电路才解决。
这种直驱芯片。上驱HO都很脆弱。总之,是不适应大功率MOS的驱动。
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| | | | | | | 假如设计PCB养成单元部分区域化,就不难做到(三圈两地的目的)
版主的建议很值得区核对一下LZ的PCB板,
特色产品:Si823x, Si822x ISO Driver Families
标准包装:46
类别:集成电路 (IC)
家庭:PMIC - MOSFET,电桥驱动器 - 外部开关
系列:-
包装:管件
配置:高端和低端,独立
输入类型:非反相
延迟时间:60ns
电流 - 峰值:500mA
配置数:2
输出数:4
高压侧电压 - 最大值(自举):1500V
电压 - 电源:6.5 V ~ 24 V
工作温度:-40°C ~ 125°C
安装类型:表面贴装
封装/外壳:16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
供应商器件封装:16-SOIC W
顺便温下LZ, 这个驱动芯片的价格是多少?
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| | | | | | | | | 不到20块。
地的话,我是铺地,可能由于板子大小和布局的原因,环路没法绝对小。
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在上臂驱动芯片损坏的情况下,为了了解上臂驱动电源VDDA的大小,将芯片的14、16管脚掰掉(避免击穿短路影响测试)。
此时,当上电,其余三个管子工作时,发现VDDA电压逐渐上升到40V以上。应该是这个超压导致其损坏。但是,没想清楚,为什么这个电压会升的如此高。应该会被VCC钳位吧,怎么会达到40V呢
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| | | | | | | | | 看型号你这是光耦隔离驱动,它还有另外一些失效模式。
上管VDDA过压当然会出问题,它的能量来源可通过弥勒甚至反向恢复这类机制,简单钳位即可。
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| | | | | | | | | 断开16 14, 最高C ho电容上的电压在没有释放回路的情况下会不会上升呢? 测试时应该接个K值的电阻,更准确点。
或者用高于VCC电压的稳压管钳位一下试试、(李板的建议)。
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| | | | | | | | | | | 10KGS电阻是标配,有事没事都放上,这个省不了啥钱。此外VDDA电容比VDDB电容还大,这有违常理(也可能出问题)。
关于自举电容计算的相关问题
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| | | | | | | | | | | | | 是啊,频率应该不会低, 474容量就够了, 11UF 确实过大了, 还有不知道是lz什么电容?用无极限(金旦)电容最好,
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| | | | | | | | | | | | | C34也是下臂的电容,10UF。下臂还是比上臂大的。在VDDA上并接10K电阻,我再试下看看什么情况吧。
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| | | | | | | | | | | | | | | 我说的是C38 C39 ,Cho指的是39 C38电容。 这个是上B臂,
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| | | | | | | | | | | | | | | C38=2.2uF,C39换成20V齐纳,R22=0,试试
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