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未解决

关于反激变换器MOS管电压应力测试

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1
不低调的低调
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LV6
高级工程师
  • 2018-7-9 22:54:38
10问答币
   在测试MOS管电压应力的时候,20MHZ下电压未超过MOS管击穿电压。但是在100MHZ下超过了。
   关于怎样确定MOS管是否会击穿的问题。
  在网上有看到大概两种说法:
   1.计算雪崩能量然后进行判断MOS管是否会损坏;
   2.计算MOS管结温然后查出对应的击穿电压。

   第一种不知道是要测所有的能量还是只是大于MOS管电压应力部分的能量;
   第二种说下自己的理解,路过的大佬帮忙看看是否正确;
    ①先根据下图和自己电路的参数求取结温
QQ图片20180709224844.png
再根据结温与击穿电压点的关系求取Vds击穿电压
QQ截图20180709225058.png

nc965
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  • 2018-7-10 08:00:42
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任何时候不要超即可,不要妄图去利用雪崩。
不低调的低调
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LV6
高级工程师
  • 2018-7-10 20:24:09
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        既然MOS管给出了此参数,合理利用也是可以的吧。
nc965
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  • 2018-7-10 20:29:21
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给出这个参数不是让你去利用的,更多是风险评估秀肌肉的意思。你非要利用的话,只能利用一次,比如去代替保险丝。
不低调的低调
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LV6
高级工程师
  • 2018-7-10 20:37:44
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怎么说呢...我这边的目的也是用于风险评估的吧...评估MOS管是否会在短暂的异常工作时损坏...目前也就会在短路状态全带宽下超过MOS管的电压应力
nc965
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版主
最新回复
  • 2018-7-10 20:39:13
  • 倒数1
 
怎么说呢...只能利用一次的意思:一旦触发雪崩机制,下一次该参数降低,再下一次更低。雪崩就是这意思,它是一种累计破坏机制,祸不单行的意思。
DIANYUAN1000
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LV6
高级工程师
  • 2018-7-10 09:21:13
  • 倒数5
 
测试平台也会有差异,建议100M也不要超
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