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反激电路如何开环测试变压器,降低一次侧MOS关断尖峰

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airut
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  • 2018-7-10 09:44:56
10问答币
大家好!

本人目前在设计一个反激降压电路,闭环前打算先对手上的变压器进行测试,但是设计的反激的开环拓扑始终存在问题,Vds的尖峰超级大。

输入电压用稳压源代替,由于怕烧器件,测试时输入电压为10V,
其次这个电路无法去除一次侧的吸收电路进行测试(秒过流烧器件,甚至烧过前端的UCC27210,过压也击穿过MOSFET),而我又无法在开环的情况下测出实际未加吸收的Uspike,所以不能进一步理论计算吸收电阻、吸收电容,测试时只能不断调节吸收电阻的大小。

图中所示变压器网络购买,参数如描述,先前曾自己尝试用PC95的磁芯三明治绕制匝比22:6,结果昨天对比测试下来,无论是哪个变压器,Vds的关断尖峰仍然没有改善。

以下是相关波形:


1、开环测试完整电路图。

2、吸收电阻为1KΩ时的Vds波形。

3、吸收电阻为10Ω/5W水泥电阻时的Vds波形拉大后振荡依然很大。

4、二次侧反并联电阻曾经是1N5819击穿后的Vds波形,只有尖峰了。


5、IRF840/IFR740(改低压输入后也用过740)MOSFET栅极驱动信号。



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airut
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  • 2018-7-10 13:29:51
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还有二次侧我加了100欧姆的负载。
nc965
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  • 2018-7-10 20:14:51
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要控制尖峰,要先控制漏感,1%漏感是业界一般水平,不用先急于去测波形,也扯不到开环闭环去。
airut
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  • 2018-7-10 21:02:00
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你好!关于漏感,这个我一开始就很纠结变压器的参数,毕竟这个是大头,我自己用成品变压器试了,也用自绕变压器试了,这两个变压器用LCR表测漏感都在5%以内的,成品的漏感更低,而且我的尖峰是一断MOS管特别大斜率的一个很陡很陡的尖峰,我怀疑这与漏感的关系已经不大了,我现在试过调整输入开关信号的占空比,占空比往下调尖峰变小,反之尖峰变大,我在看是不是二次侧的二极管导通带来的尖峰,测试开环输出的电压波形,尖峰是成比例与一次侧并存的。
nc965
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  • 2018-7-10 22:27:50
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先把漏感降到1%上下再来谈论这些问题,你就不纠结了。
airut
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  • 2018-7-10 23:03:23
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回路有很大的问题,刚刚晚上又查了一下,输入电压端电容过小,加大后,尖峰大概是1.5倍的Vin且已经出现吸收RC值过小造成的尖峰过后电压明显下陷。
因为是开环测试,板子走线有些乱,驱动又是外接的所以可能引起振荡了,待明天重新焊一下再来求教!
airut
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最新回复
  • 2018-7-12 01:36:03
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您好!我晚上重新焊了开环的板子,特意注意了三圈两地,尽可能走最小包络线,但是还是无法去除MOSFET关断后瞬态的第一个最大的尖峰,单独测RCD的D的阴极对地,始终存在这第一个尖峰,且调整RC尖峰并不能去除,R=20K欧姆/C=4.7nF与R=100欧姆/C=4.7nF效果接近,实在无解了,检查输入对功率地纹波1V以内,地线噪声也不算大啊,测了漏感也并不大,原边感量L_p=600uH,漏感L_pleak=5uH。

一次侧RCD网络D的阴极对地的波形

一次侧RCD网络D的阴极对地的波形


YTDFWANGWEI
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  • 2018-7-11 13:01:09
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输出带上负载再测。
airut
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  • 2018-7-11 15:57:02
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已带了100欧姆的直流负载。
airut
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  • 2018-7-11 15:59:31
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白天阅读了站内的关于PCB走线的技术贴,自己马一下,晚上实践,谢谢大师们的无私指导。
http://bbs.21dianyuan.com/forum. ... &fromuid=317864

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