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未解决

求助大神碳化硅MOS的体二极管问题

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yi6768618
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助理工程师
  • 2018-7-13 11:26:58
10问答币
我用的是C2M0280120D的碳化硅MOS,在把MOS管拆下来的时候,测试MOS管的体二极管,为什么每次测出来的体二极管正向压降都不一样?有时候0.8V有时候又1.5V,求大神解惑!
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whmks
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高级工程师
  • 2018-7-13 12:28:44
 
短路一下G S极就一致了。
yi6768618
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助理工程师
  • 2018-7-13 14:22:44
 
去试了一下,好像确实稳定了!为什么短路一下GS极就稳定了呢?大神帮忙解释一下,方便理解!
stevenqian
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副总工程师
最新回复
  • 2021-3-19 17:04:53
  • 倒数1
 
SICMOSFET是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV,而SI禁带宽度仅为1.12eV),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。

电子鱼
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高级工程师
  • 2018-7-14 22:49:34
  • 倒数10
 
要反着测
能源消耗
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总工程师
  • 2018-7-16 14:37:16
  • 倒数9
 
因为开路GS的阻抗很低,GS在极小电荷作用下呈现出内部的DS 或SD的导通电阻变化。因此测试时G极别碰触人体(手指)  先用表笔短路GS一下,释放GS电荷,再测试DS  或SD。
yi6768618
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助理工程师
  • 2018-7-17 10:39:02
  • 倒数7
 
是因为碳化硅极电容比较大才需要释放,普通的MOS管极电容不大测试时就不需要释放GS电荷对吧?
能源消耗
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总工程师
  • 2018-7-21 09:18:30
  • 倒数5
 
都一样,MOS管有结电容存在,开路状态下很容易积累电荷。
yi6768618
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助理工程师
  • 2018-7-17 10:37:15
  • 倒数8
 
我是反着测试的,体二极管是测SD,我知道!我说的正向是测体二极管的正向压降!
sic-mos-sbd
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高级工程师
  • 2018-7-20 11:49:10
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了解情况了吗
lw13555983752
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本网技师
  • 2018-8-20 15:07:01
  • 倒数4
 
推荐一款体二极管效果比较好的碳化硅型号:UJ3C120080K3S。  18138217527  林'R

UJ3C120080K3S.PDF

323.23 KB, 下载次数: 40, 下载积分: 财富 -2

80mΩ1200V

BingSun
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LV10
总工程师
  • 2019-4-19 08:27:20
  • 倒数3
 
有没有252封装的?
lw13555983752
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本网技师
  • 2019-6-25 16:41:56
  • 倒数2
 
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