|
| | | | | | | 去试了一下,好像确实稳定了!为什么短路一下GS极就稳定了呢?大神帮忙解释一下,方便理解!
|
|
|
| | | | | | | SICMOSFET 是新兴起的第三代半导体材料,是一种宽禁带半导体(禁带宽度>2eV ,而SI 禁带宽度仅为1.12eV ),因其具有宽带隙、高临界击穿电场、高热导率、高载流子饱和漂移速度等特点,适用于高温、高频、大功率等应用场合。
|
|
|
|
| | | | | | | 因为开路GS的阻抗很低,GS在极小电荷作用下呈现出内部的DS 或SD的导通电阻变化。因此测试时G极别碰触人体(手指) 先用表笔短路GS一下,释放GS电荷,再测试DS 或SD。
|
|
|
| | | | | | | | | 是因为碳化硅极电容比较大才需要释放,普通的MOS管极电容不大测试时就不需要释放GS电荷对吧? |
|
|
| | | | | | | | | | | 都一样,MOS管有结电容存在,开路状态下很容易积累电荷。
|
|
|
| | | | | | | 我是反着测试的,体二极管是测SD,我知道!我说的正向是测体二极管的正向压降! |
|
|
|
| | | | | | | 推荐一款体二极管效果比较好的碳化硅型号:UJ3C120080K3S。 18138217527 林'R
|
|
|
|
|