| | YTDFWANGWEI- 积分:109888
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积分:109888 版主 | | | 1、与隔离不隔离无关,图1利用了芯片内部的误差放大器,图2没有用而已。
2、从动态上来说,不会超过1mA,因为如果超过1mA,那么IC无法提供这么大电流,COMP端就会被拉到零伏,占空比就会变成零。也就没有输出,所以,在输出电压超过设定值,动态调整过程中,就会将输出电压降低下来的。
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| | | | | 一个是隔离另外一个是非隔离,没有可比性,假设两种都用光耦隔离:
那么第一种可以给光耦设置一个静态(直流)工作点,光耦工作较稳定,轻载和满载光耦基本上CTR也较为固定;第二种轻载的时候光耦电流大(相对来说),重载时光耦电流小,导致轻载与重载光耦电流变化范围较第一种较大,CTR可能在不同温度和电流下变化的范围较大
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| | | | | | | 两种电路实际应用中区别不大,1图接法利用内部比较器, 在应用中适合环路不隔离输入反相控制。
2图,不利用内部比较器。简洁隔离正相控制。
芯片应用灵活特点。
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| | | | | | | 您好,感谢您的回复。
想问下您第二种解法,您也提到CTR可能在不同温度和电流下变化的范围较大,会不会出现突然从50%跳到600%,就超过了1mA,导致超过1mA,那么IC无法提供这么大电流,COMP端就会被拉到零伏,占空比就会变成零。也就没有输出。
那是不是就要按最大值600%来选取光耦呢。我看资料里对光耦的要求只要是线性就可以了。 |
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