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| | | | | | | | | | | | | 按Ciss电容储能公可计算出单个PWM周期需要的能量,乘以PWM频率即可得到驱动功率。而驱动损耗则与你的驱动电路效率有关,要得到同样的驱动功率,图腾柱驱动、光耦隔离驱动、变压器隔离驱动效率是不同的,因而驱动损耗(即驱动电路发热)是不同的,不同的驱动IC、不同的设计水平是不同的,一般不能计算,但可凭经验估计。非要计算的话,给你个经验值,单纯的图腾柱驱动电路90%效率是可能的,由此你可以大致估计出Vcc电源所需功率以及图腾柱器件的封装和散热。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | 你说的只是功率上的损耗,我想知道的是频率上的损耗是如何计算的,好比如一个跑低频率和一个跑高频率,它们之间的损耗又应该怎么计算,还有应该怎么计算一个光耦隔离驱动它跑的极限频率是多少
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 你想知道光耦能支持的最高频率,有个算法:光耦数据手册有一组时间参数,它们之和可得到最小脉宽,除以你的最小占空比得到最短PWM周期,其倒数即为最高极限频率。得到频率后,按6楼或7楼的算法可得到驱动功率,然后根据具体电路估算驱动损耗。
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| | | | | 如果是指驱动器本身的损耗 Pdrv,那是等于 Vdr*Qg*fsw ,Vdr=驱动电压,Qg = G极所需电荷,fsw=开关频率。
当然Pdrv会有上限,fsw也就有上限了。
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| | | | | | | 哥们你的计算公式可否用数字代替来这样我比较容易懂,还有该怎么出驱动资料上的数据计算出驱动的最高开关频率
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| | | | | | | | | 给公式都看不懂,那就别算了。
要不然,直接和领导说不会,不要为了面子自己受罪。
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| | | | | | | | | 你可以参看 MOSFET datasheet 里有关Qg 一项。假设驱动电压是12V, Qg是150nC, fsw是200Khz ,
Pdrv 就等于 0.36W ,这包括Rg的损耗在内。
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