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 |  | | | | 查ME8320是反激芯片，反激IC移植到浮地的Buck基本不得善终。
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| | | | | 给的条件不足。
给出其中的一种原因。
1，续流二极管使用的是100V的管子，输入电压最高是90V。二极管的反向电压瞬间有超过100V的情况，导致续流二极管击穿。
2，续流二极管击穿，导致流过mos管的电流非常大，导致mos热击穿，同时1R过流烧断。1R电阻烧断保护了后面的470UF、25V电容。
3， mos击穿，输入电压传导芯片的gate脚，导致芯片击穿。
4，芯片击穿，导致VDD脚开路，90V电压直接串联在VDD电容上。电容的耐压只有50V，长时间被击穿。（另外一种可能是MOS管被击穿，输出电压被拉到输入电压，vdd又跟输出电压连在一起，导致VDD电容损坏。）
推测PCB layout 很差引起的
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| | | | | 功率管和二极管耐压不够，被尖峰击穿，然后直通电源高压冲入后面的25V电容不跟着爆就怪了，二极管挂了短路1R电阻跟着没了，IC的3脚连在功率管的控制脚，功率管挂了把电源电压由IC3脚冲入再加上从你的辅助电路电源去电于25V电容还没加稳压什么的，就是加了稳压这么高电压冲入也是死呀 |
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| | | | | 假設输入为90V。當2N10开通，ME8320 GND脚对0位电位約为输入电压90V。输出12V对ME8320 GND位电压为12-90=-78V。FB对ME8320 GND位电压为(-78x2/13=-12V)，超出-0.3V的極限。如果芯片还没損坏，這时电压控制环路开环。只靠庒降在1R电阻来觸发CS，并掉gate. 操作重覆，直至芯片燒毁。
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