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fly back原边电压平台的疑问

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zivcheng
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本网技工
  • 2018-8-10 14:47:38
10问答币
在测试一个fly back线路过程中,观察了原边MOS管drain端对地的电压波形,如下:
Untitled.png
然而对此电压波形有点疑问,在MOS关闭后会出现图中highlight出来的两个电压平台,红色的平台,很好理解,但是淡蓝色的那个平台是为什么产生的?可以帮忙理论分析下么?或者有什么资料可以看下?我在网上没有找到相关资料,求帮忙。
展开波形如下
tek00043.png


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DS间的最小Ip回路见【三圈两地】[/backcolor],这个回路一定有个寄生电感和寄生电容,并与谐振波形对应。很明显,最小一个寄生电容就是结电容,最小的寄生电感就是环路等效电感。 我有个PPT讲过这部分内容,没放在论坛内,截图如下: 按这个思路,你可以根据那个小波的表现找到这个对应LC具体参数。 一般情况下,整个Toff期间,开关的寄生电容Cds(还包括原边的寄生电容)是开放的,都可以参与振荡。这就找到C了。 L呢?有三种情 ...
nc965
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  • 2018-8-10 15:27:10
 
zivcheng
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本网技工
  • 2018-8-10 16:42:54
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谢谢!我先整体的看下,再回复哈!非常感谢!
zivcheng
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本网技工
  • 2018-8-14 11:02:52
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你好,版主,反复看了几遍你们的讨论内容,对我帮助很大,先谢谢啦!不过关于我想请教的问题,你们只是一句话带过,我感觉到很难理解:"A点附近有点毛刺、钳位平台上也可能出现小波,这些由DS间的最小Ip回路的布局决定,还会影响EMI。"不太理解其中“DS间的最小Ip回路”指的是什么,,,,
在我看来,当MOS管关断之后,
1. 整个原边的电流回路中,原边电感能量交替到副边,不参与谐振,
2. 只有原边漏感+RCD中的C+MOS的Coss来进行谐振。(因对PCB寄生参数了解不透彻,故不妄自添加进来讨论)
因此波形中highlight出来的两处谐振的频率一样,才符合我的想法。但从波形上看,在原副边能量交替过程中的那段谐振频率明显高于能量交替结束后的谐振。
若是反推,能量交替结束后的谐振是由漏感+Crdc+Coss,那么能量交替中的谐振势必只由漏感+Crdc产生。
麻烦版主解惑,指正。
另外,版主是否由什么关于反激的比较实用的资料或者书籍可以推荐?

nc965
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  • 2018-8-14 14:19:54
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DS间的最小Ip回路见【三圈两地】这个回路一定有个寄生电感和寄生电容,并与谐振波形对应。很明显,最小一个寄生电容就是结电容,最小的寄生电感就是环路等效电感。

我有个PPT讲过这部分内容,没放在论坛内,截图如下:
D5FFF92BCCFFE0E2DF76FD22CC19F7FF.jpg
按这个思路,你可以根据那个小波的表现找到这个对应LC具体参数。
一般情况下,整个Toff期间,开关的寄生电容Cds(还包括原边的寄生电容)是开放的,都可以参与振荡。这就找到C了。
L呢?有三种情况,对应你图中三种振荡,它们是:
1、原边电感、在副边续流结束处于开放状态,形成(膝盖点之后的)振荡
2、漏感、在钳位(续流)结束处于开放状态,形成钳位平台后的振荡
3、Ip回路等效电感,(无法短路)任何时候都是开放状态,形成钳位平台上的振荡

于是,解读你的波形:
1、Ip回路没有精心设计,寄生电感太大,严重影响尖峰和效率
2、漏感偏大,严重影响尖峰和效率
3、钳位偏重,效率不高,发热
4、EMC不好,传导难受,不好过,辐射难以预料。
zivcheng
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本网技工
  • 2018-8-14 16:17:09
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谢谢!明白你的意思了。最后在麻烦看下我的理解是否正确。非常感谢!
我的理解是MOS关闭瞬间,原边电感+原边漏感将Coss充满电,并将电压抬高到Vin+Vor+Vlk(漏感上的等效跨压),此时原边电感在做能量交换,原边电感的di/dt=原边漏感的di/dt+副边电感di/dt,所以原边电感及原边漏感并未参与谐振。所以此处谐振只是由回路等效电感及Coss导致。
无标题.png
nc965
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  • 2018-8-14 16:51:47
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可以这样理解,但是谐振只与能量有关,与电压关系不直接(有初始电流也可以谐振),考察重点是何种状态的C和L的处于开放(或短路)状态。副边续流时段相当于原边短路,因此续流结束之后才可能出现以原边感量为L的谐振。而Ip回路寄生电感无机制短路,因此它也可能叠加在钳位平台后的谐振波形中,仔细看就明白了。
zivcheng
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  • 2018-8-14 16:57:11
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非常感谢,受教了,谢谢!
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那个是变压器的漏感跟MOS管DS间的寄生电容的震荡
nc965
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有三种振荡,不同频率,不同的成因。
zhangtao3b608
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请赐教
nc965
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