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关于单管反激与双管反激

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yyy992812
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LV6
高级工程师
  • 2018-8-13 21:59:59
10问答币
如图所示,为什么说单管反激EMI严重,这么与双管反激对比合适吗?双管反激比单管反激EMI更好?
TIM图片20180813215517.jpg

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不好意思问题没有看清乱说了一通。 不过原理基本相同,双管反激由于二极管将漏感能量返回了电源因此没有了高dv/dt,也就消除了漏感引起的谐振造成的共模干扰。
yyy992812
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LV6
高级工程师
  • 2018-8-13 22:13:40
 
这句话有什么依据吗?还是只是单纯的说单管反激EMI大?
Coming.Lu
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  • 2018-8-14 08:08:17
 
不合适。
我怎么觉得双管反激EMI更麻烦一些呢。
greendot
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  • 2018-8-14 11:46:10
 
为什么呢? 单考虑Vds,起码关断时d/dt(Vds) 低些,而且两个Vds是相反的,有点抵消的作用,共模好些。
Coming.Lu
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  • 2018-8-14 12:05:00
 
双管反激,初级绕组两端都是动点。
greendot
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LV10
总工程师
  • 2018-8-14 12:17:42
 
没记错的话,有说全桥比半桥的EMI低(共模),就是因为两个动点的电压升降沿是相反的,EMI一正一负,抵消了。有待证实。
Coming.Lu
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  • 2018-8-14 12:21:04
 
如果做成三明治,同时考虑怎么把次级正好靠近初级中点的话,那可能是会低。
但那样变压器就会设计得比较怪异。
我是不太喜欢那种一下正绕,一下又反绕。
甚至能不用三明治的,我都不用。
能不用屏蔽的,也都不用,包括外屏蔽。
greendot
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总工程师
  • 2018-8-14 12:34:22
 
看见三文治就烦。
yyy992812
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高级工程师
  • 2018-8-14 22:04:03
 
哥,能不能讲的通俗点,,小白表示不是很清楚
Coming.Lu
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版主
  • 2018-8-15 08:05:43
 
去找找EMI相当的文档来看看吧。
然后自己多试试,就是实际用不同的绕法,去比较。
yyy992812
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高级工程师
  • 2018-8-14 18:05:24
 
没搞懂文章的这句话有什么依据?
Coming.Lu
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  • 2018-8-15 08:07:51
 
没什么依据,很多就是以一两次的经验就得到这样的结论。
就好比我做的电源,经常在传导10~30M之间,会长一个包。
然后,我就得到一个结论,不管什么拓扑,在10~30M之间都会长一个包。
但我看别人的传导结果,明显不是呢。
所以,经验归经验,但不能以经验做结论,因为咱们的经验太局限。
yyy992812
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LV6
高级工程师
  • 2018-8-19 20:59:48
  • 倒数5
 
两个Vds相反?没太搞明白      方向不是一样的吗
greendot
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LV10
总工程师
  • 2018-8-20 12:52:14
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这样说吧,关断时,变压器初级两端,一端由Vin骤降到地(假设二极管MOS管是理想的),另一端由地上升到Vin,由这两个方向相反的升降沿产生的EMI,一正一负,互相抵消,当然实际上两个开关管的关断时间可能有点偏差,抵消作用会打折扣。
埃_维_针1
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副总工程师
  • 2018-8-14 08:49:38
 
这是论文摘要的统一句式,腐朽窠臼之一……
单管反激效率低?不是经常听见有人说不小心做到95%+吗?

个人认为,好的工科科技论文,应当是就事论事,客观的描述,不要加入过多主观感受与评价。当然,就现在的学术氛围,恐怕这类文章寥寥无几。
yyy992812
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LV6
高级工程师
  • 2018-8-14 18:04:30
 
那是不是双管比单管EMI低呢?
埃_维_针1
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LV8
副总工程师
  • 2018-8-14 21:47:29
 
EMC小弟懂得不多,可以问问楼上总工和版主。
yyy992812
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2018-9-30 22:41:03
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双管反激如果上管或者下管短路了,是不是可以看成单管反激呢?  对于系统整体而言,有什么影响呢?除了应力增加外
lahoward
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  • 2018-8-15 08:03:23
 
这个说法是对的,判断对不对先要知道这两个电路的区别,单管正激需要复位线圈,而复位线圈在MOS管关断时会产生很高的 dv/dt,需要用RCD等措施吸收,这与反激情况一样,这是产生EMI的源头。

而双管正激,则没有复位线圈,两MOS管同时关断时,两个二极管便导通,没有这个单管的dv/dt,于是EMI便很小。

yyy992812
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高级工程师
  • 2018-8-15 22:40:10
 
可是我说的是双管反激啊。  这个与双管正激是一样的吗?
lahoward
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  • 2018-8-16 02:24:43
  • 倒数10
 
不好意思,没有看清问题就乱说一通。

不过原理基本相似,双管反激将漏感的能量通过二极管返回电源,不存在漏感引起的高dv/dt,这是共模EMI的根源。
lahoward
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总工程师
  • 2018-8-16 16:52:52
  • 倒数9
 
不好意思问题没有看清乱说了一通。
不过原理基本相同,双管反激由于二极管将漏感能量返回了电源因此没有了高dv/dt,也就消除了漏感引起的谐振造成的共模干扰。

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yyy992812
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高级工程师
  • 2018-8-16 21:19:27
  • 倒数8
 
单管反激加了RCD吸收呢?EMI也不会比双管差吧?

lahoward
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总工程师
  • 2018-8-17 08:25:55
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RCD不是为了吸收EMI的。
yyy992812
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LV6
高级工程师
  • 2018-8-19 20:57:27
  • 倒数6
 
我的意思是,单管反激加RCD后也能有效吸收漏感尖峰,使得dv/dt变小啊。。。。
lahoward
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LV10
总工程师
  • 2018-8-19 22:17:08
  • 倒数4
 
会有所改善,但与双管是不能比的,找两个波形对比一下便清楚了。
yyy992812
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LV6
高级工程师
  • 2018-8-22 23:35:42
  • 倒数2
 
双管反激,如果下管关断,上管开通,那会不会一直有电流经过变压器原边和二极管D1呢?
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