世纪电源网社区logo
社区
Datasheet
标题
返回顶部
未解决

请教下软开关电路中在MOSFET的DS间并联电容为什么能减少关断损耗?

[复制链接]
查看: 1661 |回复: 1
1
charging
  • 积分:233
  • |
  • 主题:17
  • |
  • 帖子:40
积分:233
LV3
助理工程师
  • 2018-8-21 15:28:14
10问答币
请教下软开关电路中在MOSFET的DS间并联电容为什么能减少关断损耗?
依我的理解,增大Coss会增大t3-t4的时间,损耗应该会增大才对,哪位兄弟帮忙解释一下?

QQ图片20180821152503.png
QQ图片20180821152509.png
Coming.Lu
  • 积分:50193
  • |
  • 主题:39
  • |
  • 帖子:16001
积分:50193
版主
最新回复
  • 2018-8-21 18:47:39
  • 倒数1
 
标题是软开关,图好像是硬开关的图吧。
热门技术、经典电源设计资源推荐

世纪电源网总部

地 址:天津市南开区黄河道大通大厦8层

电 话:400-022-5587

传 真:(022)27690960

邮 编:300110

E-mail:21dy#21dianyuan.com(#换成@)

世纪电源网分部

广 东:(0755)82437996 /(138 2356 2357)

北 京:(010)69525295 /(15901552591)

上 海:(021)24200688 /(13585599008)

香 港:HK(852)92121212

China(86)15220029145

网站简介 | 网站帮助 | 意见反馈 | 联系我们 | 广告服务 | 法律声明 | 友情链接 | 清除Cookie | 小黑屋 | 不良信息举报 | 网站举报

Copyright 2008-2024 21dianyuan.com All Rights Reserved    备案许可证号为:津ICP备10002348号-2   津公网安备 12010402000296号