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未解决

开关管DS尖峰

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mouxiaodi
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高级工程师
  • 2018-8-28 22:25:24
10问答币
问题:低压侧开关管DS之间尖峰比较大(频率为500K设计,高低压侧都使用GaN开关管)采取的措施改善:
1、在上管D和下管S加了去耦电容10nF左右,没有改变
2、尝试了各种RC组合,R从0到30Ω,C从30pF到110pF,尖峰始终没有改善
3、驱动电阻从4.7R增大到30R,没有改变
所以不知道采用什么方式去改变了。各位大神们有什么建议吗?图1:是电路图
图2:是低压侧开关管ds之间的波形,gs正常就没有放出来
图3:是尖峰放大图




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wangdongchun
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LV12
专家
  • 2018-8-29 12:44:44
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调整一下电容的大小,最好再在电容处串入一只小阻值电阻

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mouxiaodi
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高级工程师
  • 2018-8-29 14:23:15
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尝试过,没有效果
sachiewang
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LV8
副总工程师
  • 2018-8-30 09:12:06
  • 倒数4
 
首先确定是不是真实的波形,多用几个探头。
然后更改吸收电容,看振荡频率有没有改变,
或者可以试试RCD钳位。

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mouxiaodi
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高级工程师
  • 2018-8-30 09:30:32
  • 倒数3
 
波形为真实波形,换了探头做过尝试。对于RC尝试了各种组合,几乎没有现象,RCD没有尝试过
zsw7611
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LV2
本网技师
  • 2018-8-30 15:26:38
  • 倒数2
 
减小变压器漏感。

mouxiaodi
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LV6
高级工程师
最新回复
  • 2018-8-31 14:35:18
  • 倒数1
 
我这个电路拓扑就是要利用这个漏感
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