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| | | | | | | | | 我先不加这个R,先加C,本意是想按照之前的方法:测出原始震荡频率f后, 加电容C1,直到震荡频率变为原来的1/2,,然后反过来估算出这个吸收电阻R,R=2*pi*f*L=1/(2*pi*f*C)。把R加到所加C上,震荡就可以大大衰减,这时再适当调整C值的大小,直到震荡基本被抑制。
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| | | | | | | | | | | 那都是耍大刀的,解决不了你的问题。真想解决,就在该帖跟楼,正在招募志愿者。
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| | YTDFWANGWEI- 积分:109874
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- 主题:142
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- 帖子:45925
积分:109874 版主 | | | |
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| | | | | | | | | 这种低压输入高压输出的,副边电压尖峰确实不好处理,副边绕组寄生电容随着副边匝数的增多,估计其参数增加得更快吧!
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