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5KWBUCKBOOST用MOS还是IGBT?

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极限2020

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2018-9-15 15:42:31

10问答币

5KWBUCKBOOST用MOS还是IGBT?发现IGBT体内二极管恢复时间好长

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		2 thankspring thankspring 离线 LV6 高级工程师积分：511 \| 主题：7 \| 帖子：53 访问空间发消息积分:511 LV6 高级工程师 2018-9-15 21:11:18
		用COOL MOS 回复 \| 举报 \|

			3 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18258 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18258 版主 2018-9-15 22:35:23
			你不是有REBOOST么？回复 \| 举报 \|

				6 thankspring thankspring 离线 LV6 高级工程师积分：511 \| 主题：7 \| 帖子：53 访问空间发消息积分:511 LV6 高级工程师 2018-9-16 15:59:08
				啥么意思回复 \| 举报 \|

		4 五六电源五六电源离线 LV8 副总工程师积分：5054 \| 主题：1 \| 帖子：308 访问空间发消息积分:5054 LV8 副总工程师 2018-9-16 07:59:40
		MOS的体二极管恢复时间也长。回复 \| 举报 \|

		5 闪烁闪烁在线 LV7 版主积分：51792 \| 主题：49 \| 帖子：1240 访问空间发消息积分:51792 版主 2018-9-16 09:16:14
		看开关频率，IGBT比较合适的开关频率是20KHz一下；还有效率，IGBT拖尾现象效率可能较MOS管偏低回复 \| 举报 \|

			7 极限2020 极限2020 离线 LV6 高级工程师积分：723 \| 主题：7 \| 帖子：112 访问空间发消息积分:723 LV6 高级工程师 2018-9-20 12:56:17
			IGBT多个管子并联如何，均流效果如何呢回复 \| 举报 \|

		8 chaos2008 chaos2008 离线 LV8 副总工程师积分：8288 \| 主题：61 \| 帖子：577 访问空间发消息积分:8288 LV8 副总工程师 2018-9-20 16:40:57
		输入输入什么要求也要说一下吧，不同的要求才能选择相对较适宜的方案啊回复 \| 举报 \|

			9 极限2020 极限2020 离线 LV6 高级工程师积分：723 \| 主题：7 \| 帖子：112 访问空间发消息积分:723 LV6 高级工程师 2018-9-20 16:45:07
			电池输入154V到240V，母线电压360-410V，功率5KW，采用BUCKBOOST双向半桥非隔离拓扑，频率20K 回复 \| 举报 \|

				10 闪烁闪烁在线 LV7 版主积分：51792 \| 主题：49 \| 帖子：1240 访问空间发消息积分:51792 版主 2018-9-20 17:46:50
				电压这么低，选用MOS管就好了，频率还可以往上做，体积可以在做小；IGBT是不是内部开关管只能单向流通？用BOOST_BUCK升降压时，只能通过体二极管续流，用MOS管的话，部分流二极管，部分流开关管，管压降低点，效率应该会高一点；回复 \| 举报 \|

					11 极限2020 极限2020 离线 LV6 高级工程师积分：723 \| 主题：7 \| 帖子：112 访问空间发消息积分:723 LV6 高级工程师 2018-9-20 17:54:18
					我在IGBT上并联快恢复二极管如何呢回复 \| 举报 \|

						12 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18258 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18258 版主 2018-9-20 19:08:41
						并了能起多大作用？回复 \| 举报 \|

							13 极限2020 极限2020 离线 LV6 高级工程师积分：723 \| 主题：7 \| 帖子：112 访问空间发消息积分:723 LV6 高级工程师 2018-9-20 19:24:23 倒数10
							二极管并了，可以分流，减少IGBT的损耗呀回复 \| 举报 \|

		14 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93657 \| 主题：115 \| 帖子：27354 访问空间发消息积分:93657 版主 2018-9-20 20:33:13 倒数9
		一般情况下，MOS比IGBT体内二极管反向恢复时间更长回复 \| 举报 \|

		15 Microsemi Microsemi 离线 LV2 本网技师积分：137 \| 主题：1 \| 帖子：5 访问空间发消息积分:137 LV2 本网技师 2018-10-31 15:58:01 倒数8
		可以了解一下APT36GA60BD15，IGBT自帶Microsemi DQ系列快恢復二極管，trr 在20ns左右，看你的要求有其他的型號推薦 QQ：490431879 回复 \| 举报 \|

			16 极限2020 极限2020 离线 LV6 高级工程师积分：723 \| 主题：7 \| 帖子：112 访问空间发消息积分:723 LV6 高级工程师 2018-10-31 16:39:08 倒数7
			好的，已经加你QQ。回复 \| 举报 \|

			17 星宇星宇离线 LV7 版主积分：18258 \| 主题：29 \| 帖子：4753 访问空间发消息积分:18258 版主 2018-10-31 21:50:20 倒数6
			请问你是做APT代理的吗？回复 \| 举报 \|

				18 Microsemi Microsemi 离线 LV2 本网技师积分：137 \| 主题：1 \| 帖子：5 访问空间发消息积分:137 LV2 本网技师 2018-11-1 09:34:41 倒数5
				是的，增你強公司回复 \| 举报 \|

		19 五六电源五六电源离线 LV8 副总工程师积分：5054 \| 主题：1 \| 帖子：308 访问空间发消息积分:5054 LV8 副总工程师 2018-11-1 18:37:45 倒数4
		MOS的体二极管恢复也很长。回复 \| 举报 \|

			20 极限2020 极限2020 离线 LV6 高级工程师积分：723 \| 主题：7 \| 帖子：112 访问空间发消息积分:723 LV6 高级工程师 2018-11-3 11:16:43 倒数3
			是的，MOS管比IGBT的体内二极管恢复时间还长。回复 \| 举报 \|

				21 闪烁闪烁在线 LV7 版主积分：51792 \| 主题：49 \| 帖子：1240 访问空间发消息积分:51792 版主 2018-11-3 14:13:16 倒数2
				BUCK_BOOST重载的时候，驱动打互补，续流通过MOS管本体，跟体二极管影响不大，轻载通过体二极管续流，这时候二极管影响才大回复 \| 举报 \|

					22 极限2020 极限2020 离线 LV6 高级工程师积分：723 \| 主题：7 \| 帖子：112 访问空间发消息积分:723 LV6 高级工程师最新回复 2018-11-3 17:58:06 倒数1
					你说的是BUCKBOOST互相打，是做同步整流吧》？回复 \| 举报 \|

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