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|  |  | | | | | 哦哦，我试过TINA，有一个问题就是TI的很多模型都是加密的，TINA也用不了啊，跪谢求指点。。
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 |  | | | | 先搞定磁性材料、输入电容和功率半导体，不用软开关的话，硅MOSFET到不了2MHz，而且SiC二极管的结电容都不可忽略了
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| | | | | | | 准备用GaN器件作为开关管，用CRM模式来减小开通损耗 |
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| | | | | | | | | CRM算效率90%，100W/0.9=111W，输入100V，交流电流有效值1.11A，
交流峰值1.57A，电感峰值电流3.14A，母线电压400V，关断边沿3ns，3.14A*400V*3ns*1MHz/√2=2.66W
Coss给你算40pF，导通电阻0.19欧姆，0.5*40pF*(400V)^2*1MHz+(1.05A)^2*0.19欧姆=3.41W
GaN的损耗就超6W了，这么高的频率插件搞不定，贴片散热是个问题。
硬开关还是500kHz以下稳妥，上MHz不用软开关，GaN和SiC也不行
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| | | | | | | | | | | 谢谢您详细的计算，那这样的话就只有考虑软开关了，不然热损耗太大了
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| | | | | | | | | | | CRM模式开通时谷点电压很低，远没有400V。特别是在低压100VAC输入时。
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| | | | | | | | | | | | | 开通损耗我都给他忽略了，只算了关断损耗，算上开通损耗更高了
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| | | | | | | | | | | | | | | 用CCM损耗会大得多，功率才100W，完全没必要用CCM。
10楼作者算出来的这部分0.5*40pF*(400V)^2*1MHz，就是开通损耗，不过公式中这个400V是有问题的，实际在CRM时，这个电压值是谷底，一般在100V以内。所以算出来的损耗没那么高。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 哦哦，那意思是用CRM，再采用软开关来减小损耗的话，还是行得通的？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | CRM接近于软开关效果了，再配合GaN，基本上可以做出来了。你这个1MHZ的目的是什么？是硬性规定吗？是能量密度或体积要求吗？不能降到300-500KHZ左右吗？一般在高压应用中，跑1MHZ，我感觉太高频率了。
你去英飞凌的网站找找，GaN的应用。好像有做到350KHZ的800W/1600W的设计，可以参考下。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 嗯嗯，这个1MHz是项目硬性指标，指标是1-2MHz
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 这里确实算多了，低压时确实不足400V，还有CRM那个电压是个馒头波，估算的话还要再除以2
但是二极管是个巨坑，3A的碳化硅也有7.6nC，开通损耗可能不能忽略了，大概要算100V*3A*2.5ns*1MHz=0.75W （高压1.65W）
这样输出电容那里的开通损耗扣出去多半，二极管的反向恢复又补点进来，高压下还是接近5W的损耗，够呛
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 如果100Vac输入，400V输出，根本就没有开通损耗，ZVS了。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没理解，crm开通的时候，电感没电流了，但D极电压还是100V啊
难道是用一个时延，让二极管的反向恢复通过电感对电源放电，之后残余能量导通体二极管？
所以crm用超快恢不用SiC？
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这时电感和Coss等谐振，ZCD时，Vds下振幅已过零。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 多谢指点。
硅MOSFET应该没有问题，Co(tr)比较大，但GaN可能有点不一样，输出电容太小。
具体看控制方法了，还是有可能
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | GaN的Co(tr)也有百pF吧（要找些datasheet看看）。
10楼的关断损耗计算也是不对的，21楼提到的二极管反向恢复损耗，基本是不存在的，所以开关管的总耗没您算的这么大。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 恩，算错了，交叠部分积出来要除以6。算下来只有0.45W。
最小只找到15A的GaN，Coss只有71pF，如果上到1MHz，电感大概30-50uH，零电压大概70-95nS
如果能实现CRM，应该是可行的。硬开关会很吃力，这个封装基本都是8X8贴片，最多2W
硬开关的话，Qrr反向充电要考虑进来吧？这个电流会灌到主开关里啊。CRM开通搞个延迟是可以让主电感顶住。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 1. 至于关断损耗，交叠处不是X状，而是Δ状，应该是除以2，另外电流和频率也不是个固定值，电流和频率是随馒头波和输入电压变化的。（基于一些假设，计算过开关管总损耗大概是1W左右）
2. Qrr 指的是二极管的吧，开关管导通时，二极管正向电流已然为零，基本无需反向恢复。
3. 较小功率的GaN datasheet :
GS66502B-DS-Rev-180420.pdf
(1.06 MB, 下载次数: 5)
EPC2050_preliminary.pdf
(1017.58 KB, 下载次数: 4)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没理解关断损耗不是X状，GaN的特性？
CRM变频比较麻烦，电流变化倒是简单，按理想正弦波平均值就是峰值除以（pi/2）
给了Eoss方便多了，1.9uJ*1MHz=1.9W，硬开关散热有难度
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 关断开始，Vds上升未到Vo时，二极管不导通，开关管电流Ids维持不变，Ids下降时，二极管开始导通，Vds维持在Vo，所以VI交叠是Δ型，Δ的底宽是T f 的话，关断损耗是：
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 开通Coss损耗，只会在母线DC电压高过Vo/2时才有，即
输入240Vac，fsw= 260KHz ～ 1.75MHz , Coss = 100pF, 算得 Pcoss= 0.11W。（100Vac时，Pcoss=0 )
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 搞成CRM的话，SiC足够了，不用上GaN半桥
经过greendot大师指点，基本清晰了，只要上软开关是很有可能的
电感要下点功夫了，并联电容不能太大，不然控制上更难弄
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