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已解决

密勒效应求助

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cc0824

cc0824
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2018-9-28 14:18:30

10问答币

请问下我在网上查到的资料理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的

请问下这个Ciess是哪个电容，是Cgs？还是Ciss？还是其他？

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仿真一下，MOS的Ciss=1.45nF，Inductive switching，Vgs和Vds曲线，并电容分别是0, 1nF, 2nF, 5nF

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		2 cc0824 cc0824 离线 LV6 高级工程师积分：483 \| 主题：9 \| 帖子：29 访问空间发消息积分:483 LV6 高级工程师 2018-9-28 14:55:55
		有人没，还是资料写错了回复 \| 举报 \|

		3 deep_thought deep_thought 离线 LV8 副总工程师积分：6838 \| 主题：1 \| 帖子：1128 访问空间发消息积分:6838 LV8 副总工程师 2018-9-28 15:46:49
		只有Ciss,没有Ciess. 不明白为什么GS要并联一个额外的电容，有什么目地？有什么好处？另外，并联一个电容，为什么可以消除米勒效应，什么原理？米勒效应是随着MOSFET的沟道的开通，Cdg上存储的高电压释放掉，并且反向充电到Vgs-Vds的过程，怎么可能被消除？除非是软开关。回复 \| 举报 \|

			6 joezzhang joezzhang 离线 LV8 副总工程师积分：6649 \| 主题：5 \| 帖子：1795 访问空间发消息积分:6649 LV8 副总工程师 2018-9-28 18:51:01 倒数10
			Cgd相对Cgs小了，反充电的效果被削弱，可以改善Vgs下跌的坑但是这个增大了驱动的负担，很不常见回复 \| 举报 \|

				7 deep_thought deep_thought 离线 LV8 副总工程师积分：6838 \| 主题：1 \| 帖子：1128 访问空间发消息积分:6838 LV8 副总工程师 2018-9-29 08:22:23 倒数9
				是可以稍微改善Vgs下跌的现象，缩短米勒状态时间。但是也导致关断变慢。而且这个并联电容要跟Cgs差不多，才可以看到明显效果。如果是为了加快米勒速度，不需要增加元件，只改善驱动能力和减少开通驱动电阻就好了。回复 \| 举报 \|

					8 greendot greendot 在线 LV12 专家积分：31576 \| 主题：0 \| 帖子：8690 访问空间发消息积分:31576 LV12 专家 2018-9-29 13:05:21 倒数8
					仿真一下，MOS的Ciss=1.45nF，Inductive switching，Vgs和Vds曲线，并电容分别是0, 1nF, 2nF, 5nF 2018-09-29_125944.bmp (485.38 KB, 下载次数: 41) 下载附件 2018-9-29 13:03 上传回复 \| 举报 \|

						9 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93657 \| 主题：115 \| 帖子：27354 访问空间发消息积分:93657 版主 2018-9-29 14:28:20 倒数7
						不仅仅是这个意思，调整激励源dv/dt使上升沿相等看看区别。回复 \| 举报 \|

						10 deep_thought deep_thought 离线 LV8 副总工程师积分：6838 \| 主题：1 \| 帖子：1128 访问空间发消息积分:6838 LV8 副总工程师 2018-10-6 17:25:16 倒数6
						比较0与1nF的Vds波形，是有细微差别，不知道对应损耗如何？还有，对于连续电流模式与不连续电流模式负载，损耗会有什么不同？回复 \| 举报 \|

							11 greendot greendot 在线 LV12 专家积分：31576 \| 主题：0 \| 帖子：8690 访问空间发消息积分:31576 LV12 专家 2018-10-8 16:15:44 倒数5
							理论分析，驱动损耗会大了点，电流的升降沿慢了点，开关损耗也就大了点。回复 \| 举报 \|

								12 deep_thought deep_thought 离线 LV8 副总工程师积分：6838 \| 主题：1 \| 帖子：1128 访问空间发消息积分:6838 LV8 副总工程师 2018-10-8 16:20:47 倒数4
								依大师分析，这种G到S并电容的方法有什么好处呢？回复 \| 举报 \|

									13 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93657 \| 主题：115 \| 帖子：27354 访问空间发消息积分:93657 版主 2018-10-8 17:33:49 倒数3
									欲可靠关断（导通）一个高频脉动的Vds信号时，为防止高频脉动的Vds信号通过弥勒效应干扰开关动作，就必须加这个电容。例：工频（过零）双向切换电路回复 \| 举报 \|

									14 greendot greendot 在线 LV12 专家积分：31576 \| 主题：0 \| 帖子：8690 访问空间发消息积分:31576 LV12 专家 2018-10-8 17:50:19 倒数2
									如李版所说。回复 \| 举报 \|

										15 deep_thought deep_thought 离线 LV8 副总工程师积分：6838 \| 主题：1 \| 帖子：1128 访问空间发消息积分:6838 LV8 副总工程师最新回复 2018-10-9 08:45:07 倒数1
										理解了，这种电路是用于防止米勒电容耦合效应产生误导通，主要原因还是驱动能力弱。适用于低频应用。谢谢两位。回复 \| 举报 \|

		4 nc965 nc965 在线 LV7 版主积分：93657 \| 主题：115 \| 帖子：27354 访问空间发消息积分:93657 版主 2018-9-28 17:21:04
		你说的Ciess、Cgs、Ciss都是一个东西，而且一般情况不要加0.1，只有非常特殊的情况才需要加这个电容，而且也不是0.1 回复 \| 举报 \|

		5 Coming.Lu Coming.Lu 离线 LV7 版主积分：50193 \| 主题：39 \| 帖子：15999 访问空间发消息积分:50193 版主 2018-9-28 18:48:34
		0.1倍，基本没用。回复 \| 举报 \|

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