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未解决

密勒效应求助

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1
cc0824
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LV2
本网技师
  • 2018-9-28 14:18:30
10问答币
请问下我在网上查到的资料      理论上驱动电路在G级和S级之间加足够大的电容可以消除米勒效应。但此时开关时间会拖的很长。一般推荐值加0.1Ciess的电容值是有好处的





请问下这个Ciess是哪个电容,是Cgs? 还是Ciss?还是其他?
cc0824
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LV2
本网技师
  • 2018-9-28 14:55:55
 
有人没,还是资料写错了
deep_thought
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LV8
副总工程师
  • 2018-9-28 15:46:49
 
只有Ciss,没有Ciess.
不明白为什么GS要并联一个额外的电容,有什么目地?有什么好处?另外,并联一个电容,为什么可以消除米勒效应,什么原理?
米勒效应是随着MOSFET的沟道的开通,Cdg上存储的高电压释放掉,并且反向充电到Vgs-Vds的过程,怎么可能被消除?除非是软开关。
joezzhang
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LV8
副总工程师
  • 2018-9-28 18:51:01
  • 倒数10
 
Cgd相对Cgs小了,反充电的效果被削弱,可以改善Vgs下跌的坑

但是这个增大了驱动的负担,很不常见
deep_thought
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LV8
副总工程师
  • 2018-9-29 08:22:23
  • 倒数9
 
是可以稍微改善Vgs下跌的现象,缩短米勒状态时间。但是也导致关断变慢。而且这个并联电容要跟Cgs差不多,才可以看到明显效果。
如果是为了加快米勒速度,不需要增加元件,只改善驱动能力和减少开通驱动电阻就好了。
greendot
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LV10
总工程师
  • 2018-9-29 13:05:21
  • 倒数8
 
仿真一下,MOS的Ciss=1.45nF,Inductive switching,Vgs和Vds曲线, 并电容分别是0, 1nF, 2nF, 5nF 2018-09-29_125944.bmp



nc965
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版主
  • 2018-9-29 14:28:20
  • 倒数7
 
不仅仅是这个意思,调整激励源dv/dt使上升沿相等看看区别。
deep_thought
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副总工程师
  • 2018-10-6 17:25:16
  • 倒数6
 
比较0与1nF的Vds波形,是有细微差别,不知道对应损耗如何?
还有,对于连续电流模式与不连续电流模式负载,损耗会有什么不同?
greendot
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总工程师
  • 2018-10-8 16:15:44
  • 倒数5
 
理论分析,驱动损耗会大了点,电流的升降沿慢了点,开关损耗也就大了点。
deep_thought
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LV8
副总工程师
  • 2018-10-8 16:20:47
  • 倒数4
 
依大师分析,这种G到S并电容的方法有什么好处呢?
nc965
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版主
  • 2018-10-8 17:33:49
  • 倒数3
 
欲可靠关断(导通)一个高频脉动的Vds信号时,为防止高频脉动的Vds信号通过弥勒效应干扰开关动作,就必须加这个电容。
例:工频(过零)双向切换电路
greendot
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LV10
总工程师
  • 2018-10-8 17:50:19
  • 倒数2
 
如李版所说。
deep_thought
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LV8
副总工程师
最新回复
  • 2018-10-9 08:45:07
  • 倒数1
 
理解了,这种电路是用于防止米勒电容耦合效应产生误导通,主要原因还是驱动能力弱。适用于低频应用。谢谢两位。
nc965
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  • 2018-9-28 17:21:04
 
你说的Ciess、Cgs、Ciss都是一个东西,而且一般情况不要加0.1,只有非常特殊的情况才需要加这个电容,而且也不是0.1
Coming.Lu
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版主
  • 2018-9-28 18:48:34
 
0.1倍,基本没用。
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