| | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | 不考虑转换过程,只考虑MOS管开通的时候,副边二极管是没有电流的。 |
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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| | | | | | | | | 我不知道这个转换过程到底有多复杂,可见楼上又是一位专家,不就是一个反向电流,一个结电流的叠加吗,电容吸收反向电流,电阻衰减结电流,MOS管导通瞬间,副边反向电流感应到原边,MOS管关断瞬间,原边谐振电流感应到副边,AC启动瞬间,二极管应力最大,因为AC启动瞬间,反向电流几乎全部流向结电容或与结并联的电容,就这么一个过程,原边MOS管,副边二极管,全考虑进去,所有的波形和幅度都能做出完整的解释,到底有多复杂,不知道的人还被你唬住了! |
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| | | | | | | | | | | 反向电流是指二极管的反向电流,这是P型半导体与N型半导体接触的PN结,不可避免产生的,因为导通时,内建电场被外加电场抑制,少子的浓度很高,一旦外加电场在瞬间撤除,所有的少子都被内建电场捕获,一个跑不掉,瞬间产生一个强大的反向电流,除非是肖特基二极管,将金属做阳极,不存在少子的累积问题,所以没有反向电流,由于阳极不存在耗尽层,只有阴极有,总体而言比较非常薄,耐压做不到,易被击穿
结电流是指,二极管结电容(包括与结电容并联的电容)电压反转时需要的电压,因为二极管在导通时,结电压是0.7V,二极管关断时,结电压是-(Vin/N+Vo),电压反转,一定需要反向电流给它充电,这个电流是不可避免会产生的,但与反向电流相比,反向电流是洪流,结电流是细绢,而且副边绕组匝间寄生电容电压也会反转(因为二极管导通时,它们的电压是上正下负,二极管关断时,电压是下正上负),也是需要电流的,刚好与这个电流反向,抵消了一部分,原副边绕组间寄生电容电压也会反转,但上下反转是反向的,进出相等,等于抵消
这就是反向电流和结电流的原始本质解释
当然还有副边漏感,本来是副边正向电流,由于反向电流这股洪流,使之变成了副边反向电流,使之其对结电容的电压由反向抵消变成了正向叠加,因为这个漏感所具有的电流会与结电容谐振,不过可以通过阻尼电阻把它衰减掉 |
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| | | | | | | | | | | | | 所以,加了RC吸收,会加大反向电流,但无足轻重
下次有机会,再讲原边RCD吸收 |
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| | | | | | | 二极管有反向恢复的电流,如果真的没有电流那倒好了!不用费那么多事情了 |
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| | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | 初级MOS管导通,次级二极管中还有电流,而且可以通过原边取样电阻看到?怎么理解? |
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| | | | | | | | | | | | | 会有一次侧折射到二次射的感应电动势。。。但次侧的折射电流会不会流过二极管呢 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 如果考虑到二次侧漏感,MOS开通瞬间,二次侧有个尖峰电压,次侧二极管应该有电流经过吧。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那应该就是只有这开通的一瞬间有电流,这个一瞬间好了以后就没电流了 |
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| | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | 反激电源,原变MOS管开通,电流可以反射到副边流过二极管?没明白你的意思。 |
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| | | | | | | | | | | | | 恰恰相反,是反向恢复对原边的反射,这个你应该知道的~ |
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| | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | | | 如果你说的是CCM模式下转换的时候,副边反向二极管反向恢复时间内流过二极管的电流,这个是存在的,但我前面回答的时候也说了,不考虑转换的时间内,因为转换的时间内发生了什么,不是一句两句话能分析清楚的(我记得有个帖子,最后不知道达成一致共识了没有?)。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 认同,如果不考虑转换时间内的 这个二极管是没有电流的~ |
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| | | | | | | | | | | | | | | 这个反射在原边,是不是体现在MOS管的开通电流尖峰上? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 蓝天大师,能否弄个图,当二极管反向恢复时MOS的电压电流波形...
另补个问题:
所有参数全部相同的情况下,输出整流管对MOS管的损耗有何影响? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 晕死,我是给大师提鞋的~
电脑受到限制,不能上图。很抱歉,这个图很多地方可以找到的,只是你没有留意而已。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那等我找到图再分析,现在我的问题是那一个:
单端反激,同等参数(同一电路板上),DCM模式下,输出整流二极管trr对前级MOS的损耗是成正比吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 为什么DCM电压波形后面震荡这么厉害?而MOS管电流波形没有随着震荡? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这是初级电感+初级漏感(单纯说只初级漏感可能不准确)和Coss形成的串联谐振。
而MOS管电流波形没有随着震荡?
此时,是mofet off状态,何来电流? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 既然Coss上有振荡,其上也必定有电流,Coss上的电流不就是MOSFET上的电流吗? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | Coss上的电压时MOS管的电压,Coss上的电流可不是MOS管上的电流。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Coss上的电流可不是MOS管上的电流。。。。 不解?
听王工详解 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Coss跟MOS管的DS是并联的还是串联的?再说这个过程MOS管没有驱动,怎么可能开通?即使有电流也是MOS管并联二极管中可能会流过电流,但前提条件是振荡的到0V一下吧。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | Coss跟DS是并联的,振荡的时候其电流不是也是从MOS管的S极输出吗?如果振荡电流也是在MOS管的D极与S极间流动,不算作MOS管电流吗?不知其振荡回路是怎样的? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | COSS应该是看做MOS管的寄生电容吧,吸收漏感时,有电流,这样看来。。。好像MOS管也有电流,但是电路波形上的id没有标出来,难道COSS上电流不算? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得这个好比是理想变压器,流过励磁电感的电流不需要在理想变压器原边标出来。同样道理,Coss中的电流不会流过MOS管的漏极。(将MOS管看做理想开关与各个等效电容的和来理解) |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 也就是Coss电流不算作MOS管电流。。。 呵呵 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 更正:上面是测了is,不是id;难道电容只充不放?不过这些细微的差别,在这个示波器可能很难检测到 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 再上几个图:断续mos,二极管ID
连续MOS,二极管ID(反向恢复很小,几乎看不到)
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这两楼的二极管电流波形好奇怪。
不是线性衰减,是震荡衰减的。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我觉得电流还是流过D和S的,只不过很小,看不到而已。
有兴趣可以根据DCM时次级二极管关断之后的自由震荡频率和Coss计算一下谐振电流的数量级。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | I=Coss×du/dt,找出最大电压上升率就知道最大电流了。
或者按稳态计算,用最大振荡幅值U和寄生震荡频率,Imax=U*2*pi*f*Coss |
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| | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | 只要这个振荡电压不大于Vin+nVo,副边整流二极管反偏就不会又电流。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那会不会这个电源做得不好,然后漏感跟谐振引起的震荡电压大于Vin+nVo,这样二极管有电流? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | 不会吧?出现这个振荡就是变压器中储存的能量已经传递到副边了,如果还能出现电流,那能量哪里来的? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 王工:是你说不大于就没有电流,所以我想:能不能反过来说,大于的话就有电流?呵呵 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | YTDFWANGWEI- 积分:109861
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积分:109861 版主 | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 。。。。。。如果你能有办法让他大于,那就会有电流。。。。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 没看懂陈为的这几个波形...
MOSFET上ID的电流波形振荡是怎么来的?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |
看看这个图,关于连续模式下的mos开通时的Vds电压,有个小的压降。关于这一点,争议还是比较大的,以前在论坛有过讨论,但没有一个统一的结论。
关于这个下降的小平台,实验中看不到。
还有就是此时的Mos电流波形显示,此时的MOS已经饱和导通,Vds应该为id*Rds_on才对。 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 这个震荡电压不可能超过:Vin+nVo
想想why? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 蓝天,说说在CCM下?尖峰越大,恢复时间越长,损耗越大吗?单这样看,连续比断续效率要高? |
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| | | | | 从理论上说,除了关断瞬间外,不存在电流.特别是在DCM下 |
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| | | | | 其实大家忘了一个问题,变压器是有分布电容的,能量释放完后的谐振是变压器分布电容、MOS输出电容(那个电容远大于MOS输出电容)和初级电感的谐振,从严格意义上说MOS是没有电流流过的,但Coss因为充放电,肯定是有电流的,但电流的测试并不能把两者分开,所以一定有电流流过电流探头,把幅值打大写,或者用示波器的OFFSET功能一定能看到。 |
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| | | | | | | 不管大小,MOSFET总是有电流的,只不过这个电流很小,很难被测量出来而已。
DCM的拖尾震荡虽然看起来电压蛮高,但实际上能量很小,也就是说电流很小。 |
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| | | | | | | | | DCM的拖尾震荡虽然看起来电压蛮高,但实际上能量很小
是的,给点阻尼,立马让它歇菜~ |
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| | | | | 即便有也是反向恢复电流,变压器只是插入器件,不会影响反激的基本原理。 |
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