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未解决

求助L6599自举升压原理

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rzq7659
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本网技师
  • 2018-10-21 12:59:08
10问答币
DATESHEET里描述,L6599是用IC内部的高压MOS管替代外部的自举二极管。



当下管开通时,CBoot充电至Vcc,这个时候内部MOS管应该是开通的。
1.请问图中MOS栅极侧的电容起什么作用?为什么在下管开通(既LVG为高电平时)IC内部的MOS能够导通?


当上管开通时,为了防止CBoot电流流向VCC,内部MOS应该关断。
2.请问为什么会关断?
3.




这个是IC的整体结构图,从这张图上也解释不通,为什么在下管开通(既LVG为高电平时)IC内部的MOS能够导通?
上管开通时IC内部的MOS会关断?


请各位大神指导一下,谢谢!




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nc965
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版主
  • 2018-10-21 14:37:20
  • 倒数9
 
人家的框图已经告诉你了

rzq7659
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本网技师
  • 2018-10-21 17:38:20
  • 倒数8
 
请问李工,上面框图IC内部的MOS是N型MOS吗?开通时,是通过栅极电容自举升压驱动的吗?
nc965
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版主
  • 2018-10-21 17:42:37
  • 倒数7
 
看框图(它不是电气原理图)只看逻辑是否正确即可。比如那个反向器,只看逻辑,不看电平(它也没标注电平)。其中DRIVING LOGIC模块的两个输出是互补逻辑,习惯性没有特意标注(否则画一个输出即可),你特意标注一下也可:


roar
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greendot
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专家
  • 2018-10-21 18:25:54
  • 倒数6
 
IC里的是Depletion Type PMOS.
rzq7659
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本网技师
  • 2018-10-21 20:54:09
  • 倒数5
 
请问从哪里看出是Depletion Type PMOS?
greendot
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LV12
专家
  • 2018-10-22 14:47:13
  • 倒数2
 
从它的符号和手册里描述的工况。
五六电源
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副总工程师
  • 2018-10-21 21:50:26
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内部看框图就好,不要太纠结细节。
我们是用IC,并不设计IC。
另外,设计IC有它很多有特点的技巧,也是我们设计电路的所不了解的。
能源消耗
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总工程师
  • 2018-10-22 08:57:23
  • 倒数3
 
这兄弟要研究芯片设计了。   芯片内部方框图指示简单的部分示意。   不是真电路,符号只代表含义。

很简单看出来,在下管开通时间段,高或低电平驱动内部升压开关管。在C电容对地时间开通充电。优点是优化了通常采用外部升压二极管带来的损耗,优化0.5V的供电压降导致上下驱动波形幅度不对称(上管低0.5v幅度)。
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