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chuxuezhe

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LV8

副总工程师

10问答币

一个TO-247封装的MOSFET，工作于ZVS状态，流过电流有效值10A，Rdson为100mΩ，也就是说通态损耗都已经10W，如果再考虑温升导致的Rdson增大，那通态损耗更不止，然后还有就是这个关断损耗。如果散热条件只是一般的散热器+强制风冷，这种情况下使用这个管子，是不是风险比较高？

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		2 张高琨张高琨离线 LV7 版主积分：5346 \| 主题：59 \| 帖子：1722 访问空间发消息积分:5346 版主 2018-10-30 01:11:27 倒数10
		可以选择更低RDS的,比如10mR的,如果成本没压力的情况下! 这样损耗就降到2-3W,那基本没毛病了. 回复 \| 举报 \|

			4 YTDFWANGWEI YTDFWANGWEI 离线 LV7 版主积分：109908 \| 主题：142 \| 帖子：45931 访问空间发消息积分:109908 版主 2018-10-30 08:30:47 倒数8
			高压的管子，有这么低的？回复 \| 举报 \|

		3 Coming.Lu Coming.Lu 离线 LV7 版主积分：50193 \| 主题：39 \| 帖子：15999 访问空间发消息积分:50193 版主 2018-10-30 08:16:46 倒数9
		TO-247的管，功耗10W的，散热处理好也是可以接受的。能用低电阻的管更好。回复 \| 举报 \|

			5 chuxuezhe chuxuezhe 离线 LV8 副总工程师积分：2734 \| 主题：196 \| 帖子：549 访问空间发消息积分:2734 LV8 副总工程师 2018-10-30 09:54:19 倒数7
			之前用的管子是69mΩ的，温升还可以，35°C，但是管子价格不菲，16.5RMB一个，现在想换成同一系列的100mΩ管子，可以便宜5RMB左右。回复 \| 举报 \|

				6 Coming.Lu Coming.Lu 离线 LV7 版主积分：50193 \| 主题：39 \| 帖子：15999 访问空间发消息积分:50193 版主 2018-10-30 11:59:52 倒数6
				那可以用两个5RMB的并。回复 \| 举报 \|

					7 qiuyuqiang01 qiuyuqiang01 离线 LV6 高级工程师积分：1821 \| 主题：5 \| 帖子：276 访问空间发消息积分:1821 LV6 高级工程师 2018-10-30 12:32:06 倒数5
					有道理回复 \| 举报 \|

				8 joezzhang joezzhang 在线 LV8 副总工程师积分：6679 \| 主题：5 \| 帖子：1799 访问空间发消息积分:6679 LV8 副总工程师 2018-10-30 16:38:12 倒数4
				0.069温升35度，不考虑其他条件，0.1的温升就应该是50度左右 MOSFET温度升高，导通电阻会变大；同一系列电流小的管子Qg应该会小一些，驱动不变的话，t_f应该会小一点，关断损耗会低一些还是拿上去试了才能知道结果同一系列电流小的管子Coss应该也会小一点，缩短一点死区时间也是可能的，这样一来，便宜的管子未必会热太多回复 \| 举报 \|

		9 junlink2013 junlink2013 离线 LV3 助理工程师积分：201 \| 主题：0 \| 帖子：10 访问空间发消息积分:201 LV3 助理工程师 2018-11-1 08:16:41 倒数3
		Rdson为100mΩ是挺大的，散热要多考虑了。回复 \| 举报 \|

		10 pualdelis pualdelis 离线 LV6 高级工程师积分：430 \| 主题：5 \| 帖子：102 访问空间发消息积分:430 LV6 高级工程师 2018-11-1 19:53:52 倒数2
		PSPICE分析一下啊回复 \| 举报 \|

		11 无将无将离线 LV6 高级工程师积分：651 \| 主题：4 \| 帖子：97 访问空间发消息积分:651 LV6 高级工程师最新回复 2018-11-2 19:45:12 倒数1
		247的封装20W内散热处理好可以的，当然了不差钱用COOLMOS内阻很低30多毫欧回复 \| 举报 \|

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