| | | | | 这是不同负载还是相同负载?图一应该是工作DCM模式 |
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| | | | | 1、如果是相同的板子(甚至是同一个板子),可判断上图是因变压器参数不当导致的干扰加剧影响到QR芯片的谷底检测,详情: QR失效(谷底检测失灵)模式分析
2、两只变压器漏感均偏大,尖峰偏高,即使下图也有跳谷底发生,尚有进一步优化余地。
3、反射电压偏小,对效率有影响。
4、占空比偏小,对效率有影响。
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| | | | | | | 你好!按照您的意思是说,图1是反射电压偏小引起的!图2是占空比偏小引起的?那图1和图2又怎么改进呢?我做的是全电压,输出是5V3.4A,变压器用EE1610,Ae值是40,图1的匝数比是88:5,电感量是1mH。图2匝数比是70:5.,电感量是0.9mH
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| | | | | | | | | 上述是4个独立的问题,都有关联性。这个磁芯做这个功率有点困难,你可以用此贴1楼计算表格仔细核算,估计副边要考虑4匝(甚至3匝)。
反激变压器设计要领
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| | | | | | | | | | | 你好,你是说要想改变图1那种情况,就要提高匝数比? 同时,按照你提供的变压器计算方式,这匝数比也小得太离谱了。才3.15。
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| | | | | | | | | | | | | 原边不是七八十匝吗?怎么变成126了?真用0.3绕了5层?副边不是5匝吗?怎么变成40?真用0.38密绕1层?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 绿色是输入数据,自己想清楚了再填
副边5匝:CCM模式转折电压176Vac了,不宜全电压。
副边4匝:转折电压130Vac,频率71KHz,全电压适宜。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好!其他基本明白了,但是还有点小疑问?
第一:你最高输出电压输入5V看看转折电压是多少?
第二:转折电压是什么意思?你怎么算出来的?
第三:转折电压多大才合适做全电压?
第四:要是做高压AC220-240V的话。转折电压设置多少才合适?要做低压AC90-130V的话。转折电压设置多少才合适?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,看了半天,还是不懂转折电压怎么计算的?在哪个阶段用CCM模式?在哪个阶段用DCM模式?还有哪个QR模式是不是临界模式电压吗?能不能说简单易懂一点,我不太专业。。。。。。。。。。都把我搞晕了? |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你只需关注不同表格中磁功率系数即可,大于1就可能被热否决。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 那从表格中,我怎么知道,用CCM模式还是用DCM模式啊???????????
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 表格数据你可以任意填,只要你能使磁功率系数小于1,你就可以不用CCM,从而可以继续用QR模式并享受由此带来的福利。否则,你就得被迫从Voll这个转折电压以下进入CCM模式。试试?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,CCM模式跟DCM模式有什么区别吗?听的话,CCM模式好像不太好。有人说25W以下的用DCM模式好一点。。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你不是QR芯片吗,就不能CCM。
CCM效率可能要低一点,干扰可能大一点,体积可能小一点,成本可能低一点,更适合全电压一点,各有各的好处,看你追求什么?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 你好,首先,得证明一下,你确实很厉害。 但是IC规格上,我怎么没有发现有QR这两个字呀?是不是不需要光耦和TL431的芯片,都是QR的芯片呀?
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | QR是指准谐振,临界模式,与有没有光耦无关,与变压器有关,是种控制方式,效率较高。不过原边控制(无光耦)差不多都是QR,但副边控制也有QR的。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 好,我明白了。还有一个问题磁功率系数超过1的话,会出现什么情况?会不会输出空载不正常,加载不了的情况?
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