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MOS管波形问题

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不要在等我了
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  • 2018-11-8 17:31:08
10问答币
打扰一下各位,上面两个图是两个不同变压器测试出来的MOS管DS端波形,想问一下,图1和图2那个正常一点?为什么会出现图1那种波浪线出来?

微信图片_20181108172012.jpg (235.92 KB, 下载次数: 74)

图1

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1、如果是相同的板子(甚至是同一个板子),可判断上图是因变压器参数不当导致的干扰加剧影响到QR芯片的谷底检测,详情:QR失效(谷底检测失灵)模式分析 2、两只变压器漏感均偏大,尖峰偏高,即使下图也有跳谷底发生,尚有进一步优化余地。 3、反射电压偏小,对效率有影响。 4、占空比偏小,对效率有影响。 ...
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spirite219
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  • 2018-11-8 18:13:17
 
这是不同负载还是相同负载?图一应该是工作DCM模式
不要在等我了
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高级工程师
  • 2018-11-8 18:41:46
 
相同负载的!什么是DSM模式,对电源有什么影响?
nc965
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  • 2018-11-8 20:33:41
 
1、如果是相同的板子(甚至是同一个板子),可判断上图是因变压器参数不当导致的干扰加剧影响到QR芯片的谷底检测,详情:QR失效(谷底检测失灵)模式分析
2、两只变压器漏感均偏大,尖峰偏高,即使下图也有跳谷底发生,尚有进一步优化余地。
3、反射电压偏小,对效率有影响。
4、占空比偏小,对效率有影响。

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不要在等我了
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高级工程师
  • 2018-11-9 00:02:22
 
你好!按照您的意思是说,图1是反射电压偏小引起的!图2是占空比偏小引起的?那图1和图2又怎么改进呢?我做的是全电压,输出是5V3.4A,变压器用EE1610,Ae值是40,图1的匝数比是88:5,电感量是1mH。图2匝数比是70:5.,电感量是0.9mH
nc965
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  • 2018-11-9 08:56:42
 
上述是4个独立的问题,都有关联性。这个磁芯做这个功率有点困难,你可以用此贴1楼计算表格仔细核算,估计副边要考虑4匝(甚至3匝)。
反激变压器设计要领  
不要在等我了
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高级工程师
  • 2018-11-9 10:56:38
 
你好,你是说要想改变图1那种情况,就要提高匝数比?  同时,按照你提供的变压器计算方式,这匝数比也小得太离谱了。才3.15。

1541731728(1).png (18.83 KB, 下载次数: 53)

1541731728(1).png

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nc965
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  • 2018-11-9 11:09:31
 
原边不是七八十匝吗?怎么变成126了?真用0.3绕了5层?副边不是5匝吗?怎么变成40?真用0.38密绕1层?
不要在等我了
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高级工程师
  • 2018-11-9 12:00:18
 
这是我用你发给我的表格编译出来的参数。
nc965
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  • 2018-11-9 12:01:59
 
绿色是输入数据,自己想清楚了再填
副边5匝:CCM模式转折电压176Vac了,不宜全电压。


副边4匝:转折电压130Vac,频率71KHz,全电压适宜。


不要在等我了
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  • 2018-11-9 19:10:08
 
你好!其他基本明白了,但是还有点小疑问?
      第一:你最高输出电压输入5V看看转折电压是多少?
      第二:转折电压是什么意思?你怎么算出来的?
      第三:转折电压多大才合适做全电压?
      第四:要是做高压AC220-240V的话。转折电压设置多少才合适?要做低压AC90-130V的话。转折电压设置多少才合适?




nc965
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  • 2018-11-9 22:14:29
 
第一:最高输出电压是绕组输出电压,5V整流后大约4V,你确定的话自己算。
第二:转折电压的意思是这个电压为临界模式,低于这个电压则进入CCM模式,这个值是自己试填,以磁功率系数不大于1(发热可以接受)为度。
第三:转折电压就是临界模式支持的最低输入电压,85Vac时都支持的话则为全程DCM模式反激。
第四:市电标准为AC220-240V的话,实际电压还有20%的浮动,一般按176~277Vac设计,这种电源一般无需CCM模式(省不了啥),转折电压就是最低输入电压176Vac对应的Voll电压(相当于不转折)。要做低压AC90-130V的话同理(都叫单电压)。

总的意思:你这个磁芯做QR模式单电压正好。做全电压吃力,要吗增大磁芯才能QR,要吗牺牲效率和QR而去转折一下。
再说明白点:你这个磁芯做不了全电压准谐振。非要做,要吗减少功率,要吗增加磁芯。
还有一个出路:副边减小到3匝,电解增加到120uF,频率增加到80KHz(这要求更好材质的磁芯和较好的QR芯片),或许可行:

不要在等我了
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  • 2018-11-10 08:56:07
 
你好,看了半天,还是不懂转折电压怎么计算的?在哪个阶段用CCM模式?在哪个阶段用DCM模式?还有哪个QR模式是不是临界模式电压吗?能不能说简单易懂一点,我不太专业。。。。。。。。。。都把我搞晕了?
nc965
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  • 2018-11-10 09:07:55
  • 倒数9
 
你只需关注不同表格中磁功率系数即可,大于1就可能被热否决。
不要在等我了
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  • 2018-11-10 09:50:37
  • 倒数8
 
那从表格中,我怎么知道,用CCM模式还是用DCM模式啊???????????
nc965
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  • 2018-11-10 10:29:52
  • 倒数7
 
表格数据你可以任意填,只要你能使磁功率系数小于1,你就可以不用CCM,从而可以继续用QR模式并享受由此带来的福利。否则,你就得被迫从Voll这个转折电压以下进入CCM模式。试试?
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  • 2018-11-10 11:26:38
  • 倒数6
 
你好,CCM模式跟DCM模式有什么区别吗?听的话,CCM模式好像不太好。有人说25W以下的用DCM模式好一点。。

3d986a3da3ae0e1e6633178185c821d.png (78.88 KB, 下载次数: 56)

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nc965
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  • 2018-11-10 12:46:07
  • 倒数5
 
你不是QR芯片吗,就不能CCM。
CCM效率可能要低一点,干扰可能大一点,体积可能小一点,成本可能低一点,更适合全电压一点,各有各的好处,看你追求什么?

不要在等我了
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  • 2018-11-10 14:00:13
  • 倒数4
 
你好,首先,得证明一下,你确实很厉害。 但是IC规格上,我怎么没有发现有QR这两个字呀?是不是不需要光耦和TL431的芯片,都是QR的芯片呀?

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nc965
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  • 2018-11-10 15:43:41
  • 倒数3
 
QR是指准谐振,临界模式,与有没有光耦无关,与变压器有关,是种控制方式,效率较高。不过原边控制(无光耦)差不多都是QR,但副边控制也有QR的。
不要在等我了
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  • 2018-11-12 17:35:10
  • 倒数2
 
好,我明白了。还有一个问题磁功率系数超过1的话,会出现什么情况?会不会输出空载不正常,加载不了的情况?
nc965
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  • 2018-11-12 17:53:58
  • 倒数1
 
变压器会发烫,与其他情况没有直接关系。
不要在等我了
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  • 2018-11-10 09:01:17
  • 倒数10
 
还有到底用CCM模式好?还是DCM模式好?
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