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| | | | | C是高通特性,而脉冲信号的上升沿和下降沿高频谐波成分最多,获得的系统阻抗最低。
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| | | | | 电容对阶跃信号(比如方波)通电瞬间相当于短路,于是输入信号不需通过电阻而是直接加在MOS的栅极上起到加快导通的效果,也就是加速。
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| | | | | 由于电容电流超前于电压,在上升沿到来的一瞬间能旁路掉R1电阻,使三极管形成较大的基极电流,能加速三极管进入饱和状态。从两个方面来讲,其一,电容电压不可跃变,所以输入电压大于0.7V时,三极管基发结就可以导通,而没有C1电容的话,要等到R2/(R1=R2)大于0.7V时,三极管基发结才会导通,及C1电容降低了三极管响应上升沿的输入电平值(输入上升沿理论上0秒,实际上还是有一个由低到高的过程)。其二,随着电容冲入电荷,其电压也会逐渐上升,对R1电阻的旁路效果会逐步减弱,但这个过程中,任然会绕过电阻对三极管提供客观的基极电流,对三极管从截止到饱和的转换速度有较大提升。
C1电容的容两越大,加速效果越明显,但容量太大的话,可能对前级输出电路造成负担。
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| | | | | 电容的加速作用,主要体现在输入脉冲信号的上升沿和下降沿对电容的瞬时充电和瞬时放电,此过程中与其并联的基极电阻被旁路,使得三极管基极电流可瞬时灌入和抽出,从而使三极管可实现快速的开通和关断。
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