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请教一般开关的switch速度(dv/dt)与EMI有没有计算关系?

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MR-wang
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本网技师
  • 2018-11-22 09:53:15
50问答币
问下大家,一般开关的switch速度(dv/dt),与EMI有没有计算关系?或者是经验值,为什么一般上升速度会做的下降速度慢?

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nldmos的寄生NPN开启了,因为过高的di/dt在bonding寄生电感上产生了过高的over shoot voltage.nldmos里面drain端和bulk端有一个NP结,也是计生npn的CB端,除非说你的nldmos很耐用,这个结的BV很高,那没事.Driver容易烧是因为floating pmos或者nmos的vds,受nldmos寄生电容Cdg影响,当过高的dv/dt在drain端产生时,这个over shoot被电容cover到了Driver输出端.一般在这个地方nmos更容易挂,通常串个几百欧姆电阻.PMOS就看面积是否足够大.电 ...
来时徘徊
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高级工程师
  • 2018-11-22 10:27:38
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开关速度主要是影响开关损耗。实现软开关对EMI有改善。至于你说的关段会慢,你是用的IGBT?
zhangyunlei
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本网技师
  • 2018-11-22 14:41:28
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应该是一样的,除非是开漏输出模式,会有下降快,上升慢,比如i2c通讯
TingCC
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本网技师
  • 2018-11-22 14:43:49
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开快了,会烧功率管
李雷雷
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本网技工
  • 2018-11-22 14:47:09
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功率管不是很大吗,怎么就会被烧掉呢?是瞬间过充电压引起的吗?
TingCC
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本网技师
  • 2018-11-22 15:08:42
  • 倒数3
 
nldmos的寄生NPN开启了,因为过高的di/dt在bonding寄生电感上产生了过高的over shoot voltage.nldmos里面drain端和bulk端有一个NP结,也是计生npn的CB端,除非说你的nldmos很耐用,这个结的BV很高,那没事.Driver容易烧是因为floating pmos或者nmos的vds,受nldmos寄生电容Cdg影响,当过高的dv/dt在drain端产生时,这个over shoot被电容cover到了Driver输出端.一般在这个地方nmos更容易挂,通常串个几百欧姆电阻.PMOS就看面积是否足够大.电阻串多了,驱动能力弱,功耗高.这也是一个折中考虑.

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李雷雷
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本网技工
  • 2018-11-22 15:18:43
  • 倒数2
 
driver直接可以理解为c*dv/dt=I产生的大电流烧坏的吧?

TingCC
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本网技师
最新回复
  • 2018-11-22 15:34:31
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都是寄生bjt搞的鬼,大电流要烧器件要靠时间积累,过热后击穿pn结
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