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全桥拓扑使用MOS管的问题

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qingclei
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LV6
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  • 2018-11-26 16:06:40
第一:考虑的两种情况:
1. 上管续流很快结束,下关开通时上管体二极管已经关闭。因此避免了其反向恢复时间很长的问题。
2. 上管续流电流很大,下关开通时,上管体二极管仍然在续流。那么此种情况下,MOS管就可能炸管。

第二:针对2.中所述的情况,具体来看也分两种可能:
a. MOS管开关频率较高,那么会造成MOS损坏;
b. MOS管的开关频率较低,使其可以适配体二极管的反向恢复时间,即常说的,“慢速二极管适用于低频工作”,则MOS仍能正常工作。

第三:通过上述分析,通常所谓的图腾柱PFC并不适于MOSFET。意思是说由于MOS体二极管的反向恢复问题,导致了大的损耗,效率优势全无。而实际上,MOS并不一定会炸管,只要图腾柱PFC的驱动频率较低,MOS管应该也是可以保证正常工作的。虽然如此低的开关频率意义已经不大。

第四:对于普通的全桥逆变器,无隔离变压器,交替开通S1、S3和S2、S4。当S1、S3关断,S2和S4续流时,此时开通S2和S4,则可以轻易实现ZVS。

以上的观点是否正确呢?请各位高工指教。




h8f10
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LV8
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  • 2018-11-26 16:12:58
 
不知道楼主要表达什么?不用MOS管用什么?你说的是体二极管么?即使开关频率低,也不能用慢管的。
qingclei
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LV6
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  • 2018-11-26 16:19:03
 
嗯,这里所有的都是指体二极管。一直对MOS用在全桥里有点疑问,不用MOS管用IGBT咯,就没有反向恢复的问题了。
nc965
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  • 2018-11-26 18:23:14
 
全桥有死区,没啥问题,图腾柱PFC有点问题
qingclei
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LV6
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  • 2018-11-26 18:59:06
 
图腾柱也有死区,这个应该不是问题的关键吧
nc965
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  • 2018-11-26 19:37:41
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此死区非彼死区
zhaoyg0825
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  • 2018-11-26 21:31:51
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那就用IGBT 就这两种 不用这玩意 用啥
nc965
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  • 2018-11-27 08:40:01
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MOS也有反向恢复很好的型号
qingclei
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  • 2018-11-27 09:00:39
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一般低压的MOS反向恢复还可以把,高压的也有么?比如600V的有型号么,要是恢复好的话,可以直接用于图腾柱PFC了
nc965
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  • 2018-11-28 00:14:30
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这事找许工咨询
joezzhang
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  • 2018-11-28 00:50:39
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U*Qrr*fsw, 你找个MOSFET自己算一下损耗,能接受就上
qingclei
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  • 2018-11-27 09:04:11
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可以说详细点么,没太明白有什么区别,不都是为了避免上下管直通设置的死区时间么
nc965
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  • 2018-11-27 09:51:49
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图腾柱PFC的上(下)管实际上是同步整流(死区期间是先行导通的),这样去理解。
YTDFWANGWEI
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  • 2018-11-27 08:46:58
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你自己画出图来看看吧,看看上管的二极管的方向。怎么可能会下管开通的时候上管续流(这里说的是开通下管同一侧的上管)。
qingclei
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  • 2018-11-27 08:55:34
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比如图腾柱PFC中就有这种情况出现,或者LLC的容性区。
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