| | | | | 把数据提供的再全面一点吧!或者你可以加大驱动电阻看一下! |
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| | xkw1cn- 积分:131204
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| | | | xkw1cn- 积分:131204
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积分:131204 版主 | | | | | 早期SiC和GaNFET都是用压电效应构成导电层的。所以;都是常通型器件。所以;需要复合低压MOSFET构成常断型器件。
否则;上电就短路啊。。。
而这个复合的MOSFET在原理上会构成共基振荡电路。所以早期高禁带器件很容易自激甚至因此损坏。
新结构;由于工艺等提高,已经发展到常断器件。因此;新旧器件之间有了分水岭的区别。大多厂家已经放弃老工艺;转到新结构上了。
但是;老结构便宜和相对地的压降及其续流二极管等原因,还有部分老产品在某些厂家在做。
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| | | | | | | 驱动那样很有可能就是真实的,上次我做高压BUCK的时候,开始驱动电阻5.1R,进入CCM的时候驱动的上升沿就是有振荡,后来改为15R就没有了!
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| | | | | 测试一下下管驱动波形看有没有问题吧,一般很少测试上管的驱动波形,测试不好很容易炸机的
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