 |  | | | | 5将R9上端直接接到Vout，输出电压无明显变化。
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|  |  | | | | | 你好，我问一下，你稳成18v控制光耦，有啥道理吗？稳成5v也可以吗
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| | YTDFWANGWEI- 积分：109895
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积分:109895 版主 | | | 1、空载23.98，带载23.88，差值0.1V，误差0.1/24=0.42%,期望2%，那个应该是0.2%吧？
2、”那么在任何反馈参数下，空载及满载对应的Vcomp电压基本不变，即光耦Ic基本不变，即If基本不变“，这话错误。COMP电电压与ISENSE点电压是相关的，Isense空载满载不一样，COMP怎么会不变？
3、可以再反馈电阻R11上并联一个RC试试，R选择1K，C用103.
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| | | | | | | 1我的疏忽，期望值是2‰。
2若系统正常运行，变压器一次侧的峰值电流Ipk取决于负载（假设母线电压不变），与反馈参数值无关（反馈参数值在合理范围内变化）。那么电流采样阈值Ipk*Rcs不变，对应Vcomp不变。实际我在测试时将R9分别设置为1K、2K，两种情况下Vcomp波形无明显变化。
3并联1K、10nF后，空载电压提升一点为24.01V，满载电压下降为23.7V，且其纹波杂乱无章，变压器出现小幅度的异响。
谢谢版主回答！
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分：109895
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积分:109895 版主 | | | | | 还是第二条，你说的是空载及满载，空载及满载，IPK怎么会不变？
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| | | | YTDFWANGWEI- 积分：109895
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积分:109895 版主 | | | | | 我想你要表达的是，在空载或满载条件下，任何反馈参数不会影响Vcomp点电压值吧。
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| | | | | | | | | | | 是的，满载情况下不同的反馈参数（合理范围内）不会影响Vcomp值
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| | | | | | | | | | | | | R11并联1K、103后，空载电压略微上升为24.01V，满载电压23.7V，且纹波杂乱无章，效果不太理想
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| | | | | | | | | | | | | | | | | 反馈环路的补偿就是依据传递函数计算出来的，设定的穿越频率为3KHz，相位裕度60。依据的是Onsemi的一篇431补偿设计文档。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 现在系统开环传函在100Hz出的增益为20log|G(100Hz)|=53.4
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| | | | | | | 没有做动态测试，那个纹波图时满载稳态时测试的，叠加的应该是工频100Hz的纹波；满载空载动态切换的△Vpp为300mv。
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| | | | | 输出由2.4A开始逐步调节至4.8A，测试Vout，发现随着输出电流的增加Vout逐渐下降，基本排除了变压器功率不足的问题。
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| | | | | 26日测试结果：
1板上原有Y电容4.7nF，拆除后发现Vou空载降为17V，满载降为14V。
2将Y电容增加为4.7nF*2+10nF，空载电压24.02，满载电压23.96。纹波明显好转，如波形所示，几乎看不到叠加的100Hz母线电压纹波。继续增加Y电容，就没有什么效果了。
现在变压器一次及二次之间没有屏蔽层，考虑可能是原边Mosfet开关产生的噪声通过变压器耦合到次级（而且这个噪声不小），从而影响次级反馈环路。
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| | | | | | | | | 测试了下，发现两只次级二极管在关断时均有较大的尖峰，下午准备加RC试试 两只二极管均使用肖特基二极管
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| | | | | | | | | | | 满载电压要测431采样电阻的两端，是不是在输出电容的两端？ |
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| | | | | | | | | | | | | 下午测试了下431采样电阻两端电压与电容两端电压，差值非常小，可忽略不计。
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| | | | | | | | | | | | | 下午做了两个实验：
1增加rc后，二极管两端电压峰值由175V降至140V。
2将肖特基二极管换为超快恢复二极管后，尖峰更高，说明是反向恢复造成的。然后与变压器寄生参数形成震荡。
疑惑：Y电容主要是给共模噪声提供低阻抗返回路径，但是我没想明白共模噪声为什么会影响到输出电压
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | 天壤之别啊 太完美了 我电源的Vds及Ids都没法看感觉 变压器是定做的，近期准备拆解一只变压器看看内部结果 处理下寄生参数问题
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 跟变压器的关系不是很大，这是电路处理了的，我的mos管是没有吸收的，输出整流管，续流二极管都只是加了点点吸收！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 我感觉Mos开启时Ids上那个很高的峰值电流应该是变压器绕组寄生电容放电造成的，随后Mos管、原边线圈、寄生电容形成震荡，这个震荡也会隐射到次级线圈。所以我打算先着手处理变压器，看看这个分析是否合理。
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 今晚再给你们上一个原理图及电流波波！
这是双管正源理图
CH1 是VGS CH2 是VDS CH3 IP
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 一个办法是加无损吸收，还有一个办法就是把多余的能量变成辅助电源使用！
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 您好，这里“多余的能量”是寄生参数（漏感等）中的能量吗
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 刚刚拆解了变压器，绕组顺序为 一半一次绕组（两层），一半复位绕组、二次绕组、供电绕组、一半复位绕组，一半一次绕组，不同绕组间有绝缘。而且绕不满一层的绕组都是密绕，没用均匀等间隔绕制。没有屏蔽层。 但是使用时发现供电绕组输出电压过高，我就在最外侧又反绕了几匝以减少供电绕组的匝数。 最近打算重新绕制两个变压器试试再 |
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| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | 版主说跟变压器关系不大，应该从电路结构上处理一下。这个我后续会做。 我之所以想处理变压器一个原因是这个变压器没有按照我当时的设计绕法制作，同绕组层间没有处理绝缘，而且当时供电绕组设计错误，匝数设计多了，后面反绕降低的匝数，变压器整体绕的也不太规整。我想把这些点处理掉之后，拿到一个我认为合格的变压器后在着手处理后面的东西。 变压器处理后寄生参数肯定还存在，但是可以先排除掉变压器生产工艺这个点。
我新学做电源，第一个是60W反激，这是第二个，这两个设计中变压器都是定制的，没有自己动手，所以这次也想实际做一个学习一下。
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